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半導体測距素子及び固体撮像装置

シーズコード S120009218
掲載日 2012年3月28日
研究者
  • 川人 祥二
技術名称 半導体測距素子及び固体撮像装置
技術概要 本発明の半導体測距素子は、半導体領域(1)、受光用表面埋込領域(11a)、第1の電荷蓄積領域(12a)と、第1の電荷読み出し領域(13)、第1の電位制御手段(31)、第2の電位制御手段(32)、第1の排出ドレイン領域(14)と、及び第3の電位制御手段(33)とを備える。そして、第1繰り返し周期において反射光の遅れ時間に依存する信号電荷を、受光用表面埋込領域(11a)から繰り返し転送して第1の電荷蓄積領域(12a)に第1信号電荷として蓄積し、第2繰り返し周期において反射光により発生した信号電荷のすべてを受光用表面埋込領域(11a)から繰り返し転送して第1の電荷蓄積領域(12a)に第2信号電荷として蓄積し、蓄積された第1及び第2信号電荷の総量の比を求めて、対象物までの距離を測定する。
画像

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研究分野
  • 電荷移送デバイス
展開可能なシーズ 現在実現されている光飛行時間(TOF)型距離センサの解像度は、2万画素以内程度である。本発明は、高速電荷転送を行える半導体測距素子を提供し、更にはこの半導体測距素子を画素として複数個配列して、低コストで、且つ高い距離分解能と空間解像度を有する固体撮像装置を提供することを目的とする。
本発明の半導体測距素子は、構造が単純であるため、低コストで高い距離分解能が得られる。また、多数の画素を高密度に配置することができるので、空間解像度の高いTOF型距離画像センサを実現することもできる。
用途利用分野 測距素子、光飛行時間型距離センサ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人静岡大学, . 川人 祥二, . 半導体測距素子及び固体撮像装置. . 2010-03-18
  • G01S   7/486    
  • G01S  17/89     
  • H01L  27/146    

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