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半導体装置

シーズコード S120009258
掲載日 2012年3月28日
研究者
  • ▲高▼窪 かをり
  • ▲高▼窪 統
技術名称 半導体装置
技術概要 半導体装置は、第1のMOSFET(Mn1)と第2のMOSFET(Mn2)とを備え、第1のMOSFETのドレイン端子と第2のMOSFETのソース端子とを接続し、第1のMOSFETのドレイン端子と第2のMOSFETのソース端子と端子間を出力端子とし、第1のMOSFETのソース端子を基準電位とし、第2のMOSFETのドレイン端子に所定の供給電圧を印加し、第1のMOSFETのゲート端子と第2のMOSFETのゲート端子とを接続し、第1のMOSFETのゲート端子と第2のMOSFETのゲート端子との端子間を第1のゲート端子とし、第1のMOSFETの基板端子と第2のMOSFETの基板端子とを接続し、第1のMOSFETの基板端子と第2のMOSFETの基板端子との端子間を第1の基板端子とし、第1のゲート端子と第2のMOSFETのドレイン端子とが接続されていない。この半導体装置の第1のMOSFETと第2のMOSFETとは同一構造のMOSFETであり、第1のMOSFETと第2のMOSFETは、弱反転領域で動作している。
画像

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研究分野
  • 半導体集積回路
  • トランジスタ
  • 太陽電池
展開可能なシーズ 電源電圧の変動に対して安定な電圧を生成するPTAT(ProportionalToAbsoluteTemperature)基準電圧源は存在しないので、太陽電池等の微弱でかつ不安定な電源で駆動できるオンチップPTAT回路を実現することができない等の問題がある。そこで、低い電源電圧で駆動でき、かつ、電源電圧の変動に対して安定な基準電圧を生成すると共に、基準電圧の温度係数が製造工程におけるパラメータの変動に影響されにくく、基準電圧の温度係数が拡散電流で動作する半導体素子の形状により集積回路上に正確に設計可能な、基準電圧生成のための半導体装置を提供する。
微細な半導体素子を拡散電流でモデル化される領域で動作させているので、最低動作電源電圧は0.2V程度ときわめて低く、消費電力が小さいと共に、設計面積が極めて小さい。また、形状比が異なる複数の半導体素子で得られる拡散電流の比により、温度に比例した出力電圧を決定しているために、製造プロセスにおるパラメータの変動に依存しないので、太陽電池等の微弱な電源で駆動できるオンチップに集積可能なPTAT回路を実現できる。
用途利用分野 半導体装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人明治大学, . ▲高▼窪 かをり, ▲高▼窪 統, . 半導体装置. 特開2010-176270. 2010-08-12
  • G05F   3/24     

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