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半導体装置

シーズコード S120009259
掲載日 2012年3月28日
研究者
  • ▲高▼窪 かをり
  • ▲高▼窪 統
技術名称 半導体装置
技術概要 半導体装置は、第1のラテラルバイポーラトランジスタ(Mn1)と第2のラテラルバイポーラトランジスタ(Mn1)と、を備え、第1のラテラルバイポーラトランジスタのコレクタ端子と第2のラテラルバイポーラトランジスタのエミッタ端子とを接続して出力端子とし、第1のラテラルバイポーラトランジスタのベース端子と第2のラテラルバイポーラトランジスタのベース端子とを接続して第1のベース端子とし、第1のラテラルバイポーラトランジスタと第2のラテラルバイポーラトランジスタとは同一構造であり、第1のベース端子には、第1のラテラルバイポーラトランジスタのエミッタ側pn接合がわずかに順方向バイアスされる動作領域から逆方向バイアスされる動作領域となる範囲の電圧が印加され、供給電圧には、第1及び第2のラテラルバイポーラトランジスタがnpn、又はpnpかによって、正の電圧又は負の電圧が印加される。第1及び第2のラテラルバイポーラトランジスタが、npnの場合は、供給電圧は、出力端子の出力電圧よりも所定値だけ大きく、pnpの場合は、供給電圧は、出力端子の出力電圧よりも所定値だけ小さい。
画像

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研究分野
  • 半導体集積回路
  • トランジスタ
  • 太陽電池
展開可能なシーズ 汎用プロセスのもとで0.5V以下の低い電源電圧から動作し、電源電圧の変動に対して安定な電圧を生成するPTAT(ProportionalToAbsoluteTemperature)基準電圧源はないので、太陽電池等の微弱でかつ不安定な電源で駆動できるオンチップPTAT回路を実現できない等の問題がある。そこで、低い電源電圧で駆動でき、かつ、電源電圧の変動に対して安定な基準電圧を生成すると共に、基準電圧の温度係数が製造工程におけるパラメータの変動に影響されにくく、基準電圧の温度係数が拡散電流で動作する半導体素子の形状により集積回路上に正確に設計可能な、基準電圧生成のための半導体装置を提供する。
比例係数を正確に設計可能で、絶対温度に比例すると共に、電源電圧の変動に不感な電圧を集積回路上で発生可能になり、微細な半導体素子を拡散電流でモデル化される領域で動作させているので、最低動作電源電圧は0.2V程度(出力電圧+0.1V程度)ときわめて低い電源電圧での動作が可能であり、太陽電池等の微弱な電源で駆動できるオンチップに集積可能なPTAT回路を実現できる。
用途利用分野 半導体装置、半導体集積回路
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人明治大学, . ▲高▼窪 かをり, ▲高▼窪 統, . 半導体装置. 特開2010-176680. 2010-08-12
  • G05F   3/22     

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