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イオン注入方法および半導体装置の製造方法

シーズコード S130009499
掲載日 2013年6月5日
研究者
  • 後藤 賢一
  • 加勢 正隆
  • 松尾 二郎
  • 山田 公
  • 竹内 大輔
  • 豊田 紀章
  • 島田 規広
技術名称 イオン注入方法および半導体装置の製造方法
技術概要 本発明の1観点によれば、固体のデカボラン(B1014)を気化させる工程と、気体状のデカボラン分子を加速電圧40V~60Vの電子照射でイオン化させるイオン化工程と、前記イオン化工程の後に、選択する質量数を107から123の範囲に設定し、前記イオン化したデカボランを質量分析する工程と、次いで、前記質量分析したデカボランのイオンを電界で加速してターゲットに注入する工程と、を含むイオン注入方法が提供される。本発明の他の観点によれば、固体のデカボラン(B1014)を気化させる工程と、気体状のデカボラン分子を加速電圧40V~60Vの電子照射でイオン化するイオン化工程と、前記イオン化工程の後に、選択する質量数を107から123の範囲に設定し、前記イオン化したデカボランを質量分析する工程と、次いで、前記質量分析したデカボランのイオンを電界で加速して、少なくとも表面にn型シリコン領域を含むシリコンウエハに注入するイオン注入工程と、次いで、活性化アニールを行い、pn接合を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
画像

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研究分野
  • 電子ビーム・イオンビームの応用
展開可能なシーズ 本発明の他の目的は、シリコン半導体基板に浅いボロン注入領域を作成することのできるイオン注入方法を提供することである。本発明のさらに他の目的は、IV族半導体基板に浅いp型不純物ドープ領域を作成するのに適した半導体装置の製造装置を提供することである。
デカボランを用いることにより、Bのイオン注入と比較して高い効率でボロンを浅くイオン注入することが可能となる。
用途利用分野 半導体デバイス、MOSトランジスタ、IC
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, 富士通セミコンダクター株式会社, . 後藤 賢一, 加勢 正隆, 松尾 二郎, 山田 公, 竹内 大輔, 豊田 紀章, 島田 規広, . イオン注入方法および半導体装置の製造方法. 特開平10-163123. 1998-06-19
  • H01L  21/265    

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