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コンビナトリアル分子層エピタキシー装置

シーズコード S130009534
掲載日 2013年6月5日
研究者
  • 鯉沼 秀臣
  • 川崎 雅司
技術名称 コンビナトリアル分子層エピタキシー装置
技術概要 本発明のコンビナトリアル分子層エピタキシャル成長装置は、基板を加熱する手段と、複数の基板を保持し成長位置に搬送する基板ホルダーと、基板ホルダーの成長位置にある基板に対して薄膜組成の原料を供給する多原料供給手段と、基板表面にガスを供給するガス供給手段と、基板表面での単分子層ごとのエピタキシャル成長をその場で観察する手段とを圧力制御可能な高真空室に備え、各基板ごとに成長温度、圧力及び供給原料を制御し、系統的にその場観察手段に基づいて分子層ごとのエピタキシャル成長をした物質群を合成する。そのために、真空チャンバー2と、超高真空ポンプ4と、複数の基板5を保持し、回転可能な基板ホルダー6と、基板ホルダー6を加熱するランプヒーター8と、基板ホルダー6に対向して設けられた回転可能なターゲットテーブル10,10と、複数の異なる固体原料のターゲット12と、これらのターゲット12を気化するエキシマレーザー光13,13と、レーザー光を真空チャンバー2内に導入する窓16,16と、薄膜成長基板上の分子層エピタキシャル成長をその場でモニターする反射高速電子線回折の電子銃18と、RHEEDのスクリーン17を備える。
画像

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研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
展開可能なシーズ 本発明は、コンビナトリアル分子層エピタキシー装置に関する。従来のコンビナトリアル合成では、薄膜形成がいずれも室温で堆積されているため、組成制御の役割を果たしているにすぎず、また有機・無機系いずれの材料においても、分子層ごとのエピタキシャル成長で超格子構造を形成した薄膜をコンビナトリアル合成することは未だ実現されていない。そこで、本発明は、分子層ごとにエピタキシャル成長して無機系超構造、金属や有機系超構造を形成するとともに、短時間で効率的な物質探索をするためのコンビナトリアル分子層エピタキシー装置を提供することを目的とする。
本発明のコンビナトリアル分子層エピタキシャル成長装置では、[多原料]×[多基板]×[温度,圧力及び気相からのフラックス(堆積速度)などの反応パラメータ]の組合せを独立に制御し、1シリーズの反応により単分子層ごとにエピタキシャル成長した超格子構造を系統的に合成することができるという効果を有する。
用途利用分野 半導体製造装置、コンビナトリアル分子層エピタキシー装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 鯉沼 秀臣, 川崎 雅司, . コンビナトリアル分子層エピタキシー装置. 特開2000-086388. 2000-03-28
  • C30B  23/08     
  • H01L  21/203    

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