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コンビナトリアルレーザー分子線エピタキシー装置

シーズコード S130009535
掲載日 2013年6月5日
研究者
  • 鯉沼 秀臣
  • 川崎 雅司
技術名称 コンビナトリアルレーザー分子線エピタキシー装置
技術概要 コンビナトリアルレーザー分子線エピタキシー装置は、基板加熱手段、一以上の基板を保持し、回転搬送する基板ホルダー、エキシマレーザー照射により気化する複数の固体原料ターゲット、ターゲットを回転かつ上下移動させるターゲットテーブル、ターゲットと基板間に配置した移動可能なマスクプレート、基板表面にガスを供給するガス供給手段、基板表面での単分子層ごとのエピタキシャル成長をその場で観察する反射高速電子線回折とを、圧力制御可能な高真空室内に備え、基板及び基板の所定領域のいずれか、あるいは両方にマスクプレートにより元素の組み合わせや積層シーケンスが異なる多層膜を系統的に反射高速電子線回折に基づいて分子層ごとにエピタキシャル成長で合成する構成から成っている。この装置を使用し、色々な原料を用い、αアルミナ、YSZなど種々の基板上でマスクパターンを使って、温度、圧力、フラックス等の反応パラメータの組合わせを独立に制御しながら構造を系統的に制御した物質群を合成することができる。図1はコンビナトリアルレーザー分子線エピタキシー装置の外観図である。高真空下で薄膜の分子線エピタキシー成長がその場でモニタできる。
画像

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研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • レーザの応用
展開可能なシーズ 分子層ごとにエピタキシャル成長して主として無機系超構造を形成するとともに、短時間で効率的な物質探索をするためのコンビナトリアルレーザー分子線エピタキシー装置を提供する。
このコンビナトリアルレーザー分子線エピタキシー装置では、[多原料]×[多基板]×[マスクパターン]×[温度,圧力及び気相からのフラックス(堆積速度)などの反応パラメータ]の組合せを独立に制御し、1シリーズの反応により単分子層ごとにエピタキシャル成長した超格子構造を系統的に合成することができる。
用途利用分野 レーザ分子線エピタキシー装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 鯉沼 秀臣, 川崎 雅司, . コンビナトリアルレーザー分子線エピタキシー装置. 特開2000-086389. 2000-03-28
  • C30B  23/08     
  • B01J  19/00     
  • H01L  21/203    
  • H01L  43/08     

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