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ポリチオフェンラダー化合物とその製造法

シーズコード S130009604
掲載日 2013年6月5日
研究者
  • 土田 英俊
  • 小柳津 研一
  • 岩崎 知一
  • 米丸 裕之
技術名称 ポリチオフェンラダー化合物とその製造法
技術概要 ポリチオフェンラダー化合物は、一般式〔1〕で表わされる。ここに、Rは、置換基を有していてもよい炭化水素基またはオキシ炭化水素基を示し、これらの炭化水素基はヘテロ原子を含むものであってよく、Yはアニオンを示し、nは整数で重合度を示す。Rは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、あるいはアリールオキシ基を示し、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、並びにアリールオキシ基の各々は、ヘテロ原子を含むものであってもよく、nは2~1500の整数で重合度を示す。また、Rがメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、フェニル基、あるいはトルイル基である。このポリチオフェンラダー化合物の製造方法は、式〔3〕の化合物を酸により脱水環化反応させて式〔1〕の化合物を製造する方法である。
画像

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研究分野
  • 複素環化合物一般
展開可能なシーズ ポリチオフェン化合物はチオフェン環の2位と5位を一次元に連結した化合物であり、広い共役系をもち、伝導性、化学安定性に極めて優れているため、有機電子・光機能性材料として有効に用いられてきている。また、p型、n型ドーピングにより安定に高い電気伝導性を示すことから、近年二次電池の電極材料としても注目を集めてきている。従来のポリチオフェンラダー化合物は、分子量が低いため、十分な導電性が発揮されず、加工性や耐熱性は十分であるものの、実用化に向け、電気伝導性のより高い材料が望まれていた。そこで、ポリチオフェンの3位と4位をスルホニオ基で連結された新規なポリチオフェンラダー化合物を提供する。
溶解性に優れ、大きな共役系の広がりと極めて小さいバンドギャップを示す新規なポリチオフェンラダー化合物が提供される。
用途利用分野 ポリチオフェンラダー化合物
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 土田 英俊, 小柳津 研一, 岩崎 知一, 米丸 裕之, . ポリチオフェンラダー化合物とその製造法. 特開2001-261794. 2001-09-26
  • C08G  61/12     

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