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超平坦透明導電膜およびその製造方法

シーズコード S130009616
掲載日 2013年6月5日
研究者
  • 太田 裕道
  • 折田 政寛
  • 細野 秀雄
  • 平野 正浩
技術名称 超平坦透明導電膜およびその製造方法
技術概要 本発明は、超平坦化した基板上に成膜されており、透明導電膜材料の結晶構造を反映したテラス=ステップ構造を有し、平均表面粗さが1nm以下であることを特徴とする超平坦透明導電膜である。例えば、YSZ単結晶基板上に成膜されており、透明導電膜材料の結晶構造を反映したテラス=ステップ構造を有する。パルス・レーザー蒸着法、スパッタリング法、CVD法、MO-CVD法、またはMBE法のいずれか一つの成膜方法を用いて成膜する際に、基板を800℃~1500℃に保持する。熱以外のエネルギーのアシストまたは好ましくない表面吸着種の除去により基板を800℃以下に保持することもできる。その結果、平均表面粗さが1nm以下であることを特徴とするITOなどの超平坦透明導電膜が成膜できる。
画像

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研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
展開可能なシーズ 従来のITO薄膜は、多結晶体の集合体であり、表面の凹凸が大きい。この様な構造は、液晶ディスプレイ用の透明電極として用いる場合には大きな問題とならないが、有機ELディスプレイの透明電極、LEDやLDの透明電極として用いる場合には問題となる。これらのデバイスにおいては、透明電極膜の上に発光層となる有機材料や無機材料を堆積させるため、透明電極膜の表面粗さが発光層等の膜質に大きく影響するからである。本発明は、この課題を解決して、有機ELディスプレイ用の透明電極や、酸化物LEDやLD用の透明電極の特性を向上させることができる透明導電膜の提供することを目的とする。
本発明の超平坦透明導電膜の製造方法により、ガラス基板または結晶性基板上に平均表面粗さが1nm以下の超平坦表面透明導電膜を製造することができる。本発明の超平坦透明導電膜は、その上に堆積させる膜質を高めることができ、有機ELディスプレイ用の透明電極や、酸化物LEDやLD用の透明電極の特性を向上させることができる。
用途利用分野 透明導電膜、有機ELディスプレイ用透明電極、LED用透明電極、半導体薄膜製造装置、
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, HOYA株式会社, . 太田 裕道, 折田 政寛, 細野 秀雄, 平野 正浩, . 超平坦透明導電膜およびその製造方法. 特開2002-025349. 2002-01-25
  • H01B  5/14      
  • C23C 14/08      
  • C23C 16/40      
  • H01B  13/00     
  • H01L 21/285     
  • H01L  21/285    
  • H01L 33/00      
  • H05B 33/28      

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