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光増幅器

シーズコード S130009648
掲載日 2013年6月5日
研究者
  • 藤本 靖
  • 中塚 正大
技術名称 光増幅器
技術概要 Bi,Al,SiOの各粉末を所望のモル比になるように秤量し、乳鉢で粉砕・混合後、石英るつぼに入れ、1750℃で、1時間保持し、徐冷して板状のガラスを作製した。図1はBi(ビスマス)をドープした石英ガラスの組成図である。xBi-yAl-(1-x-y)SiOであり、モル%でBiは0.1から10.0%Alは2から20%で、かつx<yであり、三角形のほぼ左半分に対応する。なお、これは、x<yの領域がクリアなガラスになる。SiOが80%以下では石英系ガラスの特性が損なわれる。これは、Bi、特にBi+5からの発光であると思われる。モル比でBi:Al:SiO=0.3:2.2:97.5(重量比で2.3:3.7:94)、833nmでの発光特性(図2)と分光透過特性(図3)を測定した。X線回折は試料が非晶質であることを示している。室温での蛍光寿命は630μsと長い。
画像

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研究分野
  • 光導波路,光ファイバ,繊維光学
  • 光通信方式・機器
展開可能なシーズ 高効率の1.3μm帯の増幅に適した光増幅器を提供する。0.8μm帯の励起で、1.3μm帯の光信号増幅器を作る。
(A)Biをドープした石英ガラスからなる光ファイバでもって、伝送歪みの少ない1.3μm帯の増幅器を構成することが可能である。(B)石英系であるので伝送の石英ファイバとの融着接続等のマッチングが良好である。(C)通常のガラス製作プロセス・材料と同じであり低価格である。(D)高出力のレーザ媒質としての応用が可能である。(E)出力光の半値幅が、300nmと広く(Erドープ光ファイバの5~6倍)、広い帯域をカバーすることができる。(F)光を励起する半導体レーザとして、0.8μm帯のGaAlAs系半導体レーザが使用できるので、小型、安価で実用的な光増幅器の励起用光源を構成することができる。0.8μm帯の励起で、1.3μm帯の光信号増幅器を構築することができる。(G)量子効率が60~70%であり、従来のラマン増幅器よりも高い効率を望むことができる。(H)分散補償ファイバを使わなくても良く、低コストである。
用途利用分野 光増幅器、光ファイバー、ビスマスドープ石英ガラス含有光ファイバー、光増幅器励起用光源
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 藤本 靖, 中塚 正大, . 光増幅器. 特開2002-252397. 2002-09-06
  • H01S   3/06     
  • C03C  13/04     
  • G02B   6/00     
  • H01S   3/094    
  • H01S   3/10     

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