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ガス発生装置、及びガス発生方法

シーズコード S130009696
掲載日 2013年6月5日
研究者
  • 大川 和宏
技術名称 ガス発生装置、及びガス発生方法
技術概要 安定性及び無毒性を同じに満たすことが可能なガス発生装置を発明し、これを用いた実験を行い、ガス発生を確認しその有効性を確認した。即ち、互いに接続された金属極及び窒化物半導体極を有し、両電極が溶媒中に設置されて成るガス発生装置に係る。更に、本発明は、光エネルギーを窒化物半導体に吸収させ、その表面又は該窒化物半導体接続された金属表面において溶媒を分解させることから成る、ガス発生方法に係る。
画像

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研究分野
  • ガス化学工業
展開可能なシーズ 従来から、光エネルギーを利用して水素ガス等を発生し得る半導体として、例えば砒化ガリウム(GaAs)や燐化ガリウム(GaP)や硫化カドミウム(CdS)が試みられているが、このような従来の半導体では、半導体が溶媒と反応して不安定であると共に、溶媒中に砒素(As)やカドミウム(Cd)等の毒物が溶け出す危険性が示されている。このように、半導体自体の不安定性と半導体構成元素の毒性が、従来のガス発生装置の抱える技術的課題である。そこで、溶媒、特にアルカリ性水溶液中や酸性水溶液中において、それ自体が全く変化を起こさないか、又はその変化が小さな半導体が必要とされている。更に半導体の構成元素が毒性を有さないことが望まれている。
本発明のガス発生装置によれば、安定で低毒性な化合物である窒化物半導体を電極として用いたことによって、水素ガス及び酸素ガスなどの有用なガスを効率良く発生させ、公害等の虞の少ない手法で供給することができる。
用途利用分野 ガス製造装置、光触媒
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 大川 和宏, . ガス発生装置、及びガス発生方法. 特開2003-024764. 2003-01-28
  • B01J   7/00     
  • B01J  19/12     

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