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炭化珪素焼結材の製造方法

シーズコード S130009706
掲載日 2013年6月5日
研究者
  • 金山 信幸
  • 植田 優
  • 野田 泰稔
  • 北川 裕之
技術名称 炭化珪素焼結材の製造方法
技術概要 炭化珪素(SiC)焼結体の製造において、SiC紛体を原料として、真空またはガスを流しながらの雰囲気中において、圧粉体を加熱して焼結する際、焼結体の密度を高める目的で、原料SiC中に炭化アルミニウム(Al)を0.001~50重量%添加する。さらに上記単体の添加材の代わりに炭化アルミニウム(Al)および窒化珪素(Si)を併せて0.001~50重量%添加することもできる。上記のほかSiC半導体焼結材料の製造において、p型の電気伝導型およびキャリア濃度制御のため、アルミニウム(Al)ドープ用添加剤として炭化アルミニウム(Al)を0.001~50重量%添加することも可能である。またn型電気伝導型およびキャリア濃度制御のため、窒素(N)ドープ用添加剤として窒化珪素(Si)を0.001~50重量%添加することも可能である。
画像

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研究分野
  • 炭素とその化合物
展開可能なシーズ 炭化珪素(SiC)焼結体の製造においては、高密度SiC焼結体を得るために、環境にやさしい焼結助剤を提案する。また、SiC半導体焼結材料の製造においては、p型またはn型半導体材料の電気伝導型の制御と1022-3を越えるキャリア濃度制御、およびSiC絶縁体材料の製造を可能にする、不純物添加剤および添加法を提案する。
SiC焼結体製造方法は、高密度のSiC系焼結体を作製する際にきわめてその効果が大きい。すなわち、従来おこなわれてきたホットプレス法や高温加熱焼結法では相対密度は60%以下であり、また放電プラズマ焼結においても無添加SiCについて約80%であるのに対して、AlまたはAl及びSi添加SiC焼結材料では相対密度が少なくとも85~95%の到達が可能である。
用途利用分野 炭化珪素焼結材
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, 島根県, . 金山 信幸, 植田 優, 野田 泰稔, 北川 裕之, . 炭化珪素焼結材の製造方法. 特開2003-095745. 2003-04-03
  • C04B  35/565    

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