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SOGを用いた室温ナノ-インプリント-リソグラフィー

シーズコード S130009709
掲載日 2013年6月5日
研究者
  • 松井 真二
技術名称 SOGを用いた室温ナノ-インプリント-リソグラフィー
技術概要 被加工材料表面に微細SiOパターンを形成する方法は、〔RSi(OH)4-n〕のシロキサン成分と溶媒としてのアルコール、エステル、ケトンまたはこれらの2種以上の混合物を主成分とする溶液を被加工材料BP表面に塗布後、この塗布面に室温において、微細パターンの型押し、溶剤の除去および加水分解硬化の工程を室温下で行う。但し、RはHまたはアルキル基、nは0~3の整数である。好ましくは、シロキサン成分が水素化シルセスキオキサンポリマーである、またはシロキサン成分を含有する溶液がSi(OH)、RCOOR(R、Rは炭素数4以下の低級アルキル基である。)およびアルコールを含有するものであり、より好ましくは、硬化処理に酸またはアンモニアを用いる。また、被加工材料BP表面に微細SiOパターンを形成する方法は、シロキサン成分として水素化シルセスキオキサンポリマーを用い、ポリマーによる塗布膜を被加工材料表面に形成後、塗布面を150℃以下でプリベークした後型押しをし、その後の工程を室温下で行う。
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研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
  • トランジスタ
展開可能なシーズ ナノ・インプリントリソグラフィ技術におけるレジスト形成材料として、熱可塑性ポリマーを用いると、型押し後の転写パターンの位置精度、線幅精度が低下するという問題があった。そこで、高精度のパターンが形成でき、更に、SOG(spin-on-glass)が高いドライエッチング耐性を有すると共に、ウエットエッチングにより除去が容易である、微細SiOパターンを形成可能にする。
室温ナノ-インプリント-リソグラフィーを用いることにより、非常に能率的に、且つ高精度のパターンが形成でき、更に、形成されたSOGが高いドライエッチング耐性を有すると共に、ウエットエッチングにより除去が容易であるレジストを形成できる。また、ポリマーによる塗布膜を被加工材料表面に形成後、塗布面を150℃以下でプリベークした後型押しすることにより、高精度のパターンが形成でき、簡易な微細SiOパターンを形成できる。この方法は、量子デバイスの作成、すなわち、単電子トランジスター、量子磁気ディスク(10nm以下のサイズ)等の作製における有用な方法となる。
用途利用分野 単電子トランジスター、量子磁気ディスク
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 独立行政法人科学技術振興機構, . 松井 真二, . SOGを用いた室温ナノ-インプリント-リソグラフィー. 特開2003-100609. 2003-04-04
  • H01L  21/027    
  • B05D   3/02     
  • B05D   3/12     
  • B05D   7/24     
  • G03F   7/075    
  • H01L  21/316    
  • B29C  59/02     
  • B82B   3/00     

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