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電子放出素子の製造方法

シーズコード S130009712
掲載日 2013年6月5日
研究者
  • 吉田 博昭
  • 酒井 忠司
  • 佐久間 尚志
  • 大串 秀世
  • 渡辺 幸志
技術名称 電子放出素子の製造方法
技術概要 電子放出素子の製造方法は、ダイヤモンドを含む基板を用意する工程と、基板上に開口を有するマスク板を配置する工程と、マスク板を介して基板上に金属材料を堆積することにより、基板上の開口に対応した領域及びその周囲の領域に金属膜を形成する工程と、金属膜をマスクとしてダイヤモンドをエッチングして、電子を放出する先鋭な複数のダイヤモンドエミッタからなるエミッタ群を形成する工程と、を備えた。金属膜15の蒸着時に回り込み現象によって電荷供給電極周囲に形成された微小サイズの金属膜がエッチングマスクとなり、n型ダイヤモンド層13からなる高アスペクト比(5以上で100以下程度)の微小なダイヤモンドエミッタ(先鋭なダイヤモンド柱)13aが多数形成される。これらの多数のダイヤモンドエミッタ13aによってエミッタ群が構成される。ダイヤモンドエミッタ13aは、金属膜15からなる電荷供給電極からの距離(n型ダイヤモンド層13の側壁からの距離)が遠くなるにしたがって(距離に反比例して)、密度がしだいに減少している。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス
展開可能なシーズ ダイヤモンドをエミッタ材料に用いた場合、従来は安定性や信頼性に優れた電子放出素子を簡単な工程で作製することが困難であった。そこで、安定性や信頼性に優れた電子放出素子の製造方法を提供する。
アスペクト比の高い高密度のエミッタを有し、安定性や信頼性に優れた電子放出素子を得ることが可能となる。
用途利用分野 電子放出素子、真空マイクロ素子
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 株式会社東芝, 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 吉田 博昭, 酒井 忠司, 佐久間 尚志, 大串 秀世, 渡辺 幸志, . 電子放出素子の製造方法. 特開2003-109493. 2003-04-11
  • H01J   9/02     
  • H01J   1/304    
  • H01J  29/04     

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