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電子移動可能体形成材料、電子移動可能体形成方法、及び電子移動可能体

シーズコード S130009773
掲載日 2013年6月5日
研究者
  • 中村 新男
  • 竹田 美和
  • 藤原 康文
  • 茜 俊光
  • 町田 英明
  • 大平 達也
  • 野津 定央
  • 下山 紀男
技術名称 電子移動可能体形成材料、電子移動可能体形成方法、及び電子移動可能体
技術概要 トリス-エチルシクロペンタジエニル(EtCp)‐Lnからなる電子移動可能体形成材料であって、その電子移動可能体形成方法は、EtCp‐Lnを分解させ、基体上に電子移動可能体を設ける方法である。分解は、熱分解、光分解等の手法を用いて行われる。電子移動可能体は、上記電子移動可能体形成方法により基体上に形成される電子移動可能体である。電子移動可能体は、例えばLn,LnN,LnP,LnAs,LnSb、或いは、Ln及び/又は酸素と結合したLnを含むGaAs又はGa(1-x)InP(xは0~1の数)である。例では、エチルシクロペンタジエン、金属ナトリウム、無水塩化エルビウムからEtCpErを合成し、図1の成膜装置を使ってトリエチルガリウム、トリメチルインジウム、EtCpEr、ターシャリーブチルアルシン、ターシャリーブチルフォスフィンを原料に、基板/GaAs/Ga(1-x)InP/ErP/Ga(1-x)InP(xは0~1の数)の構造の電子デバイス用ヘテロ構造化合物の膜の基板上への作成が示されている。
画像

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研究分野
  • 半導体薄膜
  • 発光素子
  • 半導体のルミネセンス
展開可能なシーズ 高性能な電子デバイス、特に、波長安定性や発光効率が良く、発光波長の環境温度依存性が極めて小さなランタノイド元素を添加した電子デバイスを提供する。
波長安定性や発光効率が良く、発光波長の環境温度依存性が極めて小さな高性能電子デバイスが得られる。
用途利用分野 超高速電子デバイス、発光デバイス
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 独立行政法人科学技術振興機構, 株式会社トリケミカル研究所, . 中村 新男, 竹田 美和, 藤原 康文, 茜 俊光, 町田 英明, 大平 達也, 野津 定央, 下山 紀男, . 電子移動可能体形成材料、電子移動可能体形成方法、及び電子移動可能体. 特開2003-342285. 2003-12-03
  • C07F  17/00     
  • C01B  25/08     
  • C01G  28/00     
  • C07F   5/00     
  • C23C  16/18     
  • H01L  21/205    
  • H01L  29/205    
  • H01L  33/00     

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