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シリコン基材表面の二酸化シリコン膜形成方法、半導体基材表面の酸化膜形成方法、及び半導体装置の製造方法

シーズコード S130009819
掲載日 2013年6月5日
研究者
  • 小林 光
技術名称 シリコン基材表面の二酸化シリコン膜形成方法、半導体基材表面の酸化膜形成方法、及び半導体装置の製造方法
技術概要 本発明に係るシリコン基材表面の二酸化シリコン膜形成方法は、シリコン基材の表面に薬液を作用させることにより、前記シリコン基材の表面に二酸化シリコン膜を形成し、前記二酸化シリコン膜上に金属原子を含む膜を堆積した後に、水素を含む気体中において前記金属原子を含む膜を堆積したシリコン基材を100~250℃の範囲で加熱処理することを特徴としている。また、本発明に係るシリコン基材表面の二酸化シリコン膜形成方法は、シリコン基材の表面に薬液の蒸気を作用させることにより、前記シリコン基材の表面に二酸化シリコン膜を形成し、前記二酸化シリコン膜上に金属原子を含む膜を堆積し、水素を含む気体中において前記金属原子を含む膜を堆積したシリコン基材を100~250℃の範囲で加熱処理することを特徴としている。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 半導体基材表面にリーク電流密度の低い高品質の極薄酸化膜を膜厚の制御性よく低温で形成することのできる半導体基材表面の酸化膜形成方法、特にシリコン基材表面にリーク電流密度の低い高品質の極薄二酸化シリコン膜を膜厚の制御性よく低温で形成することのできるシリコン基材表面の二酸化シリコン膜形成方法、及びこれらの方法を用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。また、本発明の目的は、二酸化シリコン膜をPETなどの有機物の基板上にも形成できる程度に低温で形成する方法を提供することにある。
シリコン基材表面上の二酸化シリコン膜の膜質を向上させることができ、リーク電流密度の低い高品質の極薄酸化膜を形成することができる。これにより、上記のような高品質の極薄酸化膜を有する半導体装置を製造することができる。
用途利用分野 MOSトランジスタ、MOSダイオード、TFT(薄膜トランジスタ)
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 小林 光, . シリコン基材表面の二酸化シリコン膜形成方法、半導体基材表面の酸化膜形成方法、及び半導体装置の製造方法. 特開2004-047935. 2004-02-12
  • H01L  21/316    

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