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単結晶基板の熱処理方法

シーズコード S130009831
掲載日 2013年6月5日
研究者
  • 鯉沼 秀臣
  • 松本 祐司
  • 山本 雄一
  • 望月 圭介
  • 福士 大吾
技術名称 単結晶基板の熱処理方法
技術概要 選択した面方位のルチル単結晶基板を大気下約300°C~約1,100°Cの加熱温度で電気炉などの加熱装置を用いて所定時間焼成して、上記ルチル単結晶基板の表面に約0.22nm~約0.46nmの高さ原子ステップ及びテラス構造を得るようにする方法である。
画像

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研究分野
  • 酸化物の結晶成長
展開可能なシーズ 光触媒の発現機構の解明のために、また薄膜電子デバイス応用のために多く用いられているTiO2単結晶基板(以下「ルチル単結晶基板」と略称する。)の表面を、原子レベルでの高い平坦化を可能にすることにある。
本発明によれば、ルチル単結晶基板の表面を原子レベルでの平坦化が可能となるから、光触媒の発現機構の解明用材料に応用でき、また性能の良い薄膜電子デバイスに適用することができる。
用途利用分野 誘電体基板、磁性体基板、高温超電導体基板、光触媒材料基板
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, 旭硝子株式会社, 株式会社信光社, . 鯉沼 秀臣, 松本 祐司, 山本 雄一, 望月 圭介, 福士 大吾, . 単結晶基板の熱処理方法. 特開2004-288767. 2004-10-14
  • H01L  21/02     

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