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トンネルジャンクション素子

シーズコード S130009860
掲載日 2013年6月5日
研究者
  • 十倉 好紀
  • 川崎 雅司
  • 山田 浩之
  • 小川 佳宏
  • 金子 良夫
技術名称 トンネルジャンクション素子
技術概要 トンネル膜をもつトンネルジャンクション素子であって、下部強磁性導電性電極と上部強磁性導電性電極との間に3層構造の非磁性膜からなるトンネル膜を形成し、上記強磁性導電性電極は、A1-xBxMO3-δ型酸化物(0≦x≦1、δは酸素欠損量)で、AとしてCa,Sr,Baなどのアルカリ土類元素もしくはLaなどの希土類元素、YやBiからなる元素、BとしてA以外のCa,Sr,Baなどのアルカリ土類元素もしくはLaなどの希土類元素、YやBiからなる元素、MとしてMn,Fe,Co,Ni,Cuなどの遷移金属を用いた下部強磁性導電性電極及び上部強磁性導電性電極(と、前記下部強磁性導電性電極と前記上部強磁性導電性電極に挟まれた電気的絶縁層からなる中心を構成する第2の膜とこの第2の膜の上下に電荷を供給できるような第1の膜と第3の膜とからなる3層構造を有する。
画像

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研究分野
  • 界面の電気的性質一般
展開可能なシーズ ペロブスカイト型酸化物を強磁性金属層に使用したCMR(colossal magnetoresistive)素子においては、従来のTMR(tunnel magnetoresistive)素子特性を大きく凌駕する特性が期待できるが、一方、室温下においてはMR比が小さいという問題がある。本発明は、上記状況に鑑みて、室温下においても、MR比を向上させることができるトンネルジャンクション素子を提供することを目的とする。
新CMR素子は室温動作し、MR比で700以上の値を示す高性能の磁気センサーを可能にするので、100Gビット、テラビット領域の巨大な磁気メモリデバイスを提供する事が可能になる。また、この発明に基づく新CMR素子は磁気センサーへの応用にとどまらない。この新CMR素子は磁気メモリ素子に応用展開することが可能である。DRAM素子の容量用酸化膜に応用展開をはかることも可能である。さらに、開閉センサー(たとえば携帯電話の開閉センサー)としての応用も可能である。このように磁気メモリ用にとどまらず、広範な情報ネットワークの基本素子としての発明の応用が考えられる。
用途利用分野 トンネルジャンクション素子、磁気ヘッド、磁気メモリ素子、TMR(tunnel、magnetoresistive)素子、磁気センサー
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 独立行政法人産業技術総合研究所, . 十倉 好紀, 川崎 雅司, 山田 浩之, 小川 佳宏, 金子 良夫, . トンネルジャンクション素子. 特開2005-072436. 2005-03-17
  • H01L  43/08     
  • H01F  10/30     
  • H01F  10/32     
  • H01L  43/10     

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