TOP > 技術シーズ検索 > ハイドライド気相成長方法による転位密度の低い無極性窒化ガリウムの成長

ハイドライド気相成長方法による転位密度の低い無極性窒化ガリウムの成長

シーズコード S130009944
掲載日 2013年6月5日
研究者
  • ベンジャミン・エー・ハスケル
  • マイケル・ディー・クレイブン
  • ポール・ティー・フィニ
  • スティーブン・ピー・デンバース
  • ジェームス・エス・スペック
  • 中村 修二
技術名称 ハイドライド気相成長方法による転位密度の低い無極性窒化ガリウムの成長
技術概要 平坦な無極性a面GaN膜のエピタキシャル横方向オーバーグロースを実施する方法は、基板上に堆積されているマスクをパターニングし(200~208)、ハイドライド気相成長法を使用して基板からGaN膜のエピタキシャル横方向オーバーグロースを実施する(210~224)。その時、パターニングされたマスクによって覆われていない基板部分上でのみGaN膜は核を形成し、GaN膜は、パターニングされたマスクの開口部を通って垂直に成長し、次にGaN膜は、パターニングされたマスク上および基板の表面上にわたって横方向に広がり、結果として隣接するGaNストライプと接合する。エピタキシャル横方向オーバーグロースはGaN膜中の貫通転位密度を低減させる。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

thum_2004-564676.gif
研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 横方向オーバーグロースを使用し、高品質で、欠陥密度が低く、無極性のa面{11-20}GaN膜をハイドライド気相成長法によって成長させる方法を提供する。
ハイドライド気相成長法と共にLEO(エピタキシャル横方向オーバーグロース)を実施することによってa面GaNの形態的欠陥および構造的欠陥の実質的な低減を容易に達成することができ、又オーバーグロースGaNの貫通転位密度が低減されると共に、表面の形態およびルミネセンスも非LEOの平坦なa面GaNに比べ著しく改善される。
用途利用分野 レーザーダイオード製造装置、発光ダイオード製造装置、トランジスタ製造装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア, 独立行政法人科学技術振興機構, . ベンジャミン・エー・ハスケル, マイケル・ディー・クレイブン, ポール・ティー・フィニ, スティーブン・ピー・デンバース, ジェームス・エス・スペック, 中村 修二, . ハイドライド気相成長方法による転位密度の低い無極性窒化ガリウムの成長. 特表2006-510227. 2006-03-23
  • H01L  21/205    
  • H01L  21/02     

PAGE TOP