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n型トランジスタ、n型トランジスタセンサ及びn型トランジスタ用チャネルの製造方法

シーズコード S130009947
掲載日 2013年6月5日
研究者
  • 松本 和彦
  • 小島 厚彦
  • 長尾 哲
技術名称 n型トランジスタ、n型トランジスタセンサ及びn型トランジスタ用チャネルの製造方法
技術概要 n型トランジスタ用チャネルの製造方法では、p型半導体的な特性を示すチャネルであるナノチューブ状構造体に、酸素濃度1%以下、温度200℃以上1600℃以下の条件下、窒素化合物の原料ガスの存在下において、窒素化合物の膜を直接に形成させる工程(窒素化合物膜形成工程)を行なうにより、p型半導体的な特性を示すナノチューブ状構造体の半導体的な特性をn型に変えると共に、ナノチューブ状構造体の表面に窒素化合物膜を形成して、n型トランジスタ用チャネルを得ることができる。従って、この窒素化合物膜形成工程を経ることによって、p型半導体的な特性を有するナノチューブ状構造体を有する、トランジスタ又はその製造途中の素子(基板にソース電極、ドレイン電極、ゲート電極のうちの一部を備えたもの、等)から、n型チャネルを備えたトランジスタを製造することができる。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ ナノチューブ状構造体をチャネルに用いたトランジスタにおいて、従来とは異なるn型トランジスタ及びそれを用いたn型トランジスタセンサ、並びに、n型トランジスタ用チャネルの製造方法を提供する。
このn型トランジスタ並びにn型トランジスタの製造方法によれば、従来とは異なる新たなn型トランジスタを得ることができる。即ち、このn型トランジスタは空気中で安定であるため、経時的に空気中の酸素によってn型チャネルがp型の半導体的特性を示すようになることを抑制できる。又このn型トランジスタは、従来よりも耐熱性に優れている、即ち、n型チャネル表面を覆う窒化シリコンなどの窒素化合物が耐熱性に優れるため、例えば1200℃程度までの優れた耐熱性を発揮できる。
用途利用分野 n型トランジスタ製造装置、n型トランジスタセンサ製造装置、n型トランジスタ用チャネル製造装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 松本 和彦, 小島 厚彦, 長尾 哲, . n型トランジスタ、n型トランジスタセンサ及びn型トランジスタ用チャネルの製造方法. 特開2006-222279. 2006-08-24
  • H01L  29/786    
  • H01L  21/336    
  • H01L  51/30     
  • H01L  29/06     
  • G01N  27/414    
  • H01L  21/318    

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