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酸化膜の角で生じるキャリアのディープレベル捕獲を利用した不揮発性メモリ

シーズコード S022000008
掲載日 2003年5月26日
研究者
  • 三浦 道子
研究者所属機関
  • 広島大学 大学院先端物質科学研究科
研究機関
  • 広島大学 大学院先端物質科学研究科
技術名称 酸化膜の角で生じるキャリアのディープレベル捕獲を利用した不揮発性メモリ
技術概要 ポリシリコン上の酸化膜の角の部分では熱処理にも安定なキャリアのディープレベル捕獲が得られる。この技術ではキャリアを酸化膜内の角の部分に捕獲させることによって不揮発性メモリを実現する。これによって従来より低い電圧で動作させることができる。また、角の部分を多く持つ構造にすることによって素子面積を低減することができる。製造コストも大きく低減できる。
画像

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従来技術、競合技術の概要 従来のMOSFET不揮発性メモリ用素子では、トンネル酸化膜を薄くするとキャリアの注入効率が上がるが酸化膜の劣化を招くので、結果として動作電圧を下げることができない。また、キャリアの保留確保のために、コントロールゲートとフローティングゲートの間の酸化膜を厚くする必要があり、これにより素子の微細化に限界がある。
研究分野
  • 金属-絶縁体-半導体構造
展開可能なシーズ (1)酸化膜の角の部分の安定なキャリア捕獲を利用した不揮発性メモリ
(2)従来型のトンネルを利用した場合より低い電圧で動作が可能な不揮発メモリ
(3)製造コストが低く、かつ集積度が高い不揮発メモリ
用途利用分野 高集積度不揮発性メモリ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人広島大学, . 三浦 道子, 小野 剛史, マタウシュ ハンス・ユルゲン, . 酸化膜の角で生じるキャリヤのディープレベル捕獲を利用した不揮発性メモリ. 特開2000-332136. 2000-11-30
  • H01L  21/8247   
  • H01L  27/115    
  • H01L  29/788    
  • H01L  29/792    

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