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電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物膜形成方法

シーズコード S130010040
掲載日 2013年6月6日
研究者
  • 中村 新男
  • 竹田 美和
  • 藤原 康文
  • 茜 俊光
  • 町田 英明
  • 大平 達也
  • 野津 定央
  • 下山 紀男
技術名称 電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物膜形成方法
技術概要 EtCpErを用いる成膜装置(MOCVD)において、原料容器1a、1b、1c、1d、1eには、各々、トリエチルガリウム(TEG)、トリメチルインジウム(TMI)、EtCpEr、ターシャリ-ブチルアルシン(TBAs)、ターシャリ-ブチルフォスフィン(TBP)が入れられており、室温~150℃の範囲の温度で保持される。そして、キャリアガスとして水素が1~2000ml/minの割合で吹き込まれる。分解反応炉4内は0.1atmにされ、基板温度は流す原料種によって450℃~700℃に変化させる。初めにTBAsとTEGとが、次にTBPとTEGとTMIとが、その次にTBPとEtCpErとが、最後にTBPとTEGとTMIとが流される。こうして、基板5上に薄膜が形成される。成膜後に基板を取り出し、膜断面のSEM像を観測し、SIMSプロファイルの結果と合わせると、基板/GaAs/Ga(1-x)InP(xは0~1の数)/ErP/Ga(1-x)InP(xは0~1の数)の構造の導電性ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成されていることが確認される。
画像

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研究分野
  • 有機化合物の薄膜
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 薄膜成長技術・装置
展開可能なシーズ 高性能な電子移動可能体が得られる技術を提供する。特に、波長安定性や発光効率が良く、発光波長の環境温度依存性が極めて小さなランタノイド元素を有する電子移動可能体を提供する。
トリス-エチルシクロペンタジエニル-エルビウム(EtCpEr)は、融点が70℃以下で、気化させる温度において液体であり、気化特性が良好である。従って、高性能な電子デバイスが得られる。特に、波長安定性や発光効率が良く、発光波長の環境温度依存性が極めて小さなエルビウムを添加した電子デバイスが得られる。
用途利用分野 導電性ヘテロ構造化合物膜、ヘテロ構造化合物、電子デバイス、トリス-エチルシクロペンタジエニル-エルビウム、発光デバイス、化合物半導体、電子移動可能体
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, 株式会社トリケミカル研究所, . 中村 新男, 竹田 美和, 藤原 康文, 茜 俊光, 町田 英明, 大平 達也, 野津 定央, 下山 紀男, . 電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物膜形成方法. 特開2006-336107. 2006-12-14
  • C23C  16/30     
  • C07F   5/00     
  • C07F  17/00     
  • H01L  21/205    
  • H01L  29/201    

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