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イオン性カードラン誘導体を用いるナノ構造体

シーズコード S130010116
掲載日 2013年6月6日
研究者
  • 新海 征治
  • 杉川 幸太
  • 沼田 宗則
技術名称 イオン性カードラン誘導体を用いるナノ構造体
技術概要 このナノ構造体は、カチオン性カードラン誘導体/疎水性高分子複合体とアニオン性カードラン誘導体/疎水性高分子複合体を水溶液中で混合することにより生成するナノ構造体であって、疎水性高分子が単層カーボンナノチューブであり、カチオン性カードラン誘導体は、化1のRがカチオン性置換基である4級アンモニウム基で示される繰り返し単位から成るものであり、アニオン性カードラン誘導体は、化1のRが、がアニオン性置換基である-SOで示される繰り返し単位から成るものである。
画像

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研究分野
  • 分子構造と性質の実験的研究
展開可能なシーズ 単層カーボンナノチューブや導電性高分子のような疎水性の機能性ポリマーをシート状のような構造にナノレベルで自己組織化する簡単な手法を開発し、その手法に基づき新規なナノメートルのスケールの構造体(ナノ構造体)を提供する。
カーボンナノチューブや各種機能性ポリマーのような疎水性高分子を一本鎖ずつ分散配向させたシート状の材料等が調製可能となることから,電子デバイス等のナノテク分野に応用が期待される。
用途利用分野 電子デバイス、試薬
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 新海 征治, 杉川 幸太, 沼田 宗則, . イオン性カードラン誘導体を用いるナノ構造体. 特開2008-222765. 2008-09-25
  • C08L   5/00     
  • C08L 101/00     
  • C08K   3/04     
  • C08B  37/00     
  • B82B   1/00     
  • C01B  31/02     

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