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金属(Ti)キャッピングによるSi基板上のSiGe混晶膜の形成

シーズコード S022000023
掲載日 2003年5月26日
研究者
  • 安田 幸夫
研究者所属機関
  • 名古屋大学 大学院工学研究科
研究機関
  • 名古屋大学 大学院工学研究科
技術名称 金属(Ti)キャッピングによるSi基板上のSiGe混晶膜の形成
技術概要 次世代半導体素子の基幹材料として期待されるSiGe膜の成膜技術の確立が必要かつ急務の課題となっている。この技術は、Si基板上にGe膜を形成し、さらにその上部に金属(Ti)膜を堆積し、熱処理することによりGeとSi基板の界面におけるSiとGeの原子混合を促進し、SiGe混晶膜を形成する方法である。この方法により、Geの組成が深さ方向に滑らかに変化したSi1-xGex層(xはGeの組成比)の形成が可能となる。
画像

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従来技術、競合技術の概要 Si1-xGex層のGe組成比の制御は、エピタキシャル成長中に原料となるSiとGeの供給量を変化させることで制御されていたが、結晶安定性と再現性を高めることができなかった。
研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ (1)金属キャップ層によりSiGe界面の原子混合を制御する方法
(2)膜厚方向にGeやSiの濃度が滑らかに変化するSi1-xGex層の形成が可能な方法
用途利用分野 超LSI(ULSI)の製作
関連発表論文 (1)酒井朗, 杉本賢, 山本武雄, 岡田昌久, 財満鎮明, 安田幸夫. Siキャップ層を用いた歪緩和SiGeエピタキシャル膜の形成. 日本学術会議材料研究連合講演会講演論文集. vol.45th,2001,p.87‐88.
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人名古屋大学, . 安田 幸夫, 財満 鎭明, 酒井 朗, 山中 章, 中塚 理, . 半導体混晶膜の形成方法. 特開2001-351862. 2001-12-21
  • H01L  21/20     
  • H01L  21/203    

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