TOP > 技術シーズ検索 > 有機金属気相成長法による非極性窒化インジウムガリウム薄膜、ヘテロ構造物およびデバイスの製作

有機金属気相成長法による非極性窒化インジウムガリウム薄膜、ヘテロ構造物およびデバイスの製作

シーズコード S130010155
掲載日 2013年6月6日
研究者
  • アーパン・チャクラボーティ
  • ベンジャミン・エー・ハスケル
  • ステーシア・ケラー
  • ジェームス・エス・スペック
  • スティーブン・ピー・デンバース
  • 中村 修二
  • ウメシュ・ケー・ミシュラ
技術名称 有機金属気相成長法による非極性窒化インジウムガリウム薄膜、ヘテロ構造物およびデバイスの製作
技術概要 現行の(Ga、Al、In、B)Nデバイスは、極性[0001]c方向に成長させられるため、ヘテロ構造物中に電荷分離が起こり、特にオプトエレクトロニクス・デバイスの場合に、現行の最高技術水準のデバイスの性能を低下させる。そのようなデバイスを非極性方向に成長させれば、デバイス性能は著しく改善される。これまで、InGaNを含んだ高品質III族窒化物またはIII族窒化物系ヘテロ構造物を、非極性方向に成長させるための手段はまったく存在しなかった。そこで、非極性InGaN膜、ならびに非極性InGaN含有デバイス構造物の製作を可能にした。有機金属気相成長法(MOCVD)によって優れた平坦な非極性InGaN膜を成長させ、同じ技法によって機能性の非極性InGaNを含んだデバイスを製作した。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

thum_2007-513224.gif
研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 発光素子
展開可能なシーズ 高品質インジウム(In)を含んだエピタキシャル層と、平坦な非極性窒化インジウムガリウム(InGaN)膜を備える、ヘテロ構造物およびデバイスを製作するための方法を提供する。
非極性InGaN膜、ならびに非極性InGaN含有デバイス構造物の製作を可能にすることによって、表面粗さが大きいこと、In取り込み量が少ないこと、およびInGaNヘテロ構造中のInが脱離することに関連する従来の問題を克服できた。
用途利用分野 近紫外発光ダイオード、レーザー・ダイオード
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア, 国立研究開発法人科学技術振興機構, . アーパン・チャクラボーティ, ベンジャミン・エー・ハスケル, ステーシア・ケラー, ジェームス・エス・スペック, スティーブン・ピー・デンバース, 中村 修二, ウメシュ・ケー・ミシュラ, . 有機金属気相成長法による非極性窒化インジウムガリウム薄膜、ヘテロ構造物およびデバイスの製作. 特表2007-537600. 2007-12-20
  • H01L  33/32     
  • H01L  21/205    
  • H01S   5/343    

PAGE TOP