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ジホスフィン化合物の製造方法、この製造方法により製造されるジホスフィン化合物及び中間生成物

シーズコード S130010182
掲載日 2013年6月6日
研究者
  • 山口 健太郎
  • 檀上 博史
  • 小泉 徹
  • 今本 恒雄
技術名称 ジホスフィン化合物の製造方法、この製造方法により製造されるジホスフィン化合物及び中間生成物
技術概要 本発明のジホスフィン化合物製造方法は、ビス(ホスフィン)ボロニウム塩と、求電子部位を少なくとも2点有する求電子剤とのカップリング反応により中間生成物を合成した後に、脱ボロニウム剤で処理することを特徴とするものである。骨格部位に求電子部位を少なくとも2点有する求電子剤を用いたビス(ホスフィン)ボロニウム塩をビルディングブロックとして用い、これと求電子部位を少なくとも2点有する求電子剤とをカップリング反応させれば、二段階目のホスフィン導入反応が分子内反応となり比較的スムーズに反応が進行するといった知見を得たのである。又、カップリング反応後の中間生成物におけるボロニウム架橋部位は、比較的酸化されやすいホスフィノ基の保護基としても機能し、しかも、簡単な操作で容易に除去することができるとの知見も得たのである。これらによって、立体障害の問題を回避することができ、そのため、従来なし得なかった多くのジホスフィン化合物の合成を実現することができた。
画像

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研究分野
  • 有機りん化合物
  • 有機ほう素化合物
展開可能なシーズ 本発明は、簡単な合成工程で様々な構造のジホスフィン化合物を得ることができる新規なジホスフィン化合物の製造方法、この製造方法により製造されるジホスフィン化合物及び中間生成物を提供することを目的とする。
立体的に複雑な構造を有するホスフィン配位子はクロスカップリングをはじめとする種々の遷移金属触媒反応に有効であるが、近接位(特に、隣接位)に二つのホスフィノ基を配し、更に込み合った立体構造を有するジホスフィン化合物の合成はまだ見出されていない。これは、ジホスフィン化合物の込み合った立体構造に起因している。本発明では、ジホスフィン化合物の製造で二つのホスフィノ基をボロニウム架橋で結んでなるビス(ホスフィン)ボロニウム塩をビルディングブロックとして用い、これと求電子部位を少なくとも2点有する求電子剤とをカップリング反応させることで反応が進行するといった知見を得た。
用途利用分野 ジホスフィン化合物合成試薬、ジホスフィン化合物の製造方法
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, 国立大学法人 千葉大学, . 山口 健太郎, 檀上 博史, 小泉 徹, 今本 恒雄, . ジホスフィン化合物の製造方法、この製造方法により製造されるジホスフィン化合物及び中間生成物. . 2009-07-02
  • C07F   9/50     
  • C07F   9/6596   

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