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トンネル素子の製造方法

シーズコード S130010203
掲載日 2013年6月6日
研究者
  • 齋藤 秀和
  • 安藤 功兒
技術名称 トンネル素子の製造方法
技術概要 GaAsを含む半導体膜10と導電性膜30と間にトンネル絶縁膜として酸化ガリウム膜20が設けられている。酸化ガリウム膜20は、半導体膜10および導電性膜30に接して設けられている。酸化ガリウム膜20には、半導体膜10および導電性膜30の一方から他方にトンネル電流が流れる。GaAsを含む半導体膜10は、例えば、GaAs単結晶膜、または、GaAsと他のIII-V族半導体との混晶、例えばAlGa1-xAs膜、InGa1-xAsである。半導体膜10はp型またはn型導電性とするため、不純物が添加されている。半導体膜10を強磁性体とする場合、半導体膜10には磁性元素が添加される。導電性膜30は、例えば金属膜であり、Au等である。導電性膜30を強磁性体とする場合は、導電性膜30の少なくとも一部をFe、CoまたはNiのような強磁性金属またはこれらの合金とする。半導体膜10と導電性膜30とを強磁性体とすることにより、トンネル素子をTMR素子とすることができる。
画像

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研究分野
  • 界面の電気的性質一般
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ トンネル磁気抵抗(TMR)素子を作製するためにGaAsを含む半導体膜上にトンネル絶縁膜を形成すると、接合抵抗が高く、十分なトンネル電流が得られない。また、接合抵抗の制御性が悪い、という問題がある。そこで大きなトンネル電流が流れ、かつ接合抵抗の制御性のよいトンネル素子の製造方法を提供する。
酸化ガリウムをトンネル絶縁膜とすることにより、十分なトンネル電流が流れ、かつ接合抵抗の制御性のよいトンネル素子の製造方法を提供することができる。
用途利用分野 トンネル素子
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 独立行政法人科学技術振興機構, 独立行政法人産業技術総合研究所, . 齋藤 秀和, 安藤 功兒, . トンネル素子の製造方法. 特開2010-050297. 2010-03-04
  • H01L  43/12     
  • H01L  43/10     
  • H01L  29/66     
  • H01L  29/73     
  • H01L  21/331    
  • H01L  29/82     
  • H01L  21/316    
  • H01L  43/08     

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