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半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造およびデバイスの成長と作製のための方法及び装置

シーズコード S130010236
掲載日 2013年6月6日
研究者
  • ロバート・エム・ファレル
  • トロイ・ジェー・ベーカー
  • アーパン・チャクラボーティ
  • ベンジャミン・エー・ハスケル
  • ピー・モルガン・パチソン
  • ラジャット・シャーマ
  • ウメシュ・ケー・ミシュラ
  • スティーブン・ピー・デンバース
  • ジェームス・エス・スペック
  • 中村 修二
技術名称 半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造およびデバイスの成長と作製のための方法及び装置
技術概要 特定のデバイス応用に対する所望の材料特性を同定する。次に、所望の材料特性に基づいて半極性成長方位を選択し、選択された半極性成長方位の成長のための適当な基板を選択する。そして、基板上に平坦な半極性(Ga,Al,In,B)Nテンプレートまたは核形成層を成長する。および平坦な半極性(Ga,Al,In,B)Nテンプレートまたは核形成層上に半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造あるいはデバイスを成長する。この方法を用いることにより基板表面に平行な、大きな面積をもつ半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造、およびデバイスが実現できる。
画像

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研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 半極性(Ga,Al,In,B)Nの薄膜、ヘテロ構造、およびデバイスの成長および作製の方法を提供する。
半極性方向に沿って(Ga,Al,In,B)N薄膜およびヘテロ構造を成長するので、分極の影響および正孔の有効質量を低減することによって、デバイス特性を劇的に改良することができる。
用途利用分野 発光ダイオード、端面発光レーザダイオード、垂直共振器面発光レーザダイオード、高電子移動度トランジスタ、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、フォトデテクタ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア, 国立研究開発法人科学技術振興機構, . ロバート・エム・ファレル, トロイ・ジェー・ベーカー, アーパン・チャクラボーティ, ベンジャミン・エー・ハスケル, ラジャット・シャーマ, ウメシュ・ケー・ミシュラ, スティーブン・ピー・デンバース, ジェームス・エス・スペック, シュウジ・ナカムラ, ピー・モルガン・パチソン, . 半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造およびデバイスの成長と作製のための方法及び装置. 特表2008-543089. 2008-11-27
  • H01L  21/205    
  • H01L  33/16     
  • H01S   5/343    

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