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光電子応用のための(Al,Ga,In)NとZnOの直接ウェーハ・ボンディング構造とその作製方法

シーズコード S130010238
掲載日 2013年6月6日
研究者
  • 村井 章彦
  • クリスティーナ・イェ・チェン
  • ダニエル・ビー・トンプソン
  • リー・エス・マッカーシー
  • スティーブン・ピー・デンバース
  • シュウジ・ナカムラ
  • ウメシュ・ケー・ミシュラ
技術名称 光電子応用のための(Al,Ga,In)NとZnOの直接ウェーハ・ボンディング構造とその作製方法
技術概要 透明導電体層はZn(O,S,Te)、酸化インジウム錫、酸化ガリウム、酸化インジウム・ガリウム・亜鉛、In/SnO(酸化インジウム錫、ITO)のn型材料103あるいはp型材料101を含んで構成される。更に、透明導電体層は、例えば発光ダイオード(LED)内で繰り返し起こっている光反射を低減し、それによってLEDからより多くの光を取り出すために粗面化または整形される。透明導電体層はZnO104であり、ZnOの表面のO面が整形される。透明導電体層は、一つ以上の切頂六角錐に整形される。すなわち粗面化または整形された透明導電体層は多面体を形成する{10-11}平面116を持つ。すなわち、透明導電体層の有極性面がIII族窒化物ウェーハにウェーハ・ボンディングされることになる。光デバイスは、p型III族窒化物あるいはn型III族窒化物上に成膜した中間コンタクト層を更に備えている。中間コンタクト層は交差指型のコンタクト層を備えている。交差指型のコンタクト層は格子状にパターンが形成され、その層の中間にあるギャップがIII族窒化物光デバイスからの光を通過させる。
画像

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研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • 光電デバイス一般
展開可能なシーズ n型III族窒化物、活性領域、p型III族窒化物を備えたIII族窒化物光電子デバイスと、III族窒化物光デバイスの一つ以上の側面にウェーハ・ボンディングした一つ以上の透明導電体層を提供する。
光は透明導電体層を通過し、透明導電体層は透明であるためにIII族窒化物内部の光吸収を低減し、透明導電体層は導電性があるために活性領域から出射される光分布を均一にすることができる。
用途利用分野 発光ダイオード、光検出器、フォトダイオード、フォトトランジスタ、太陽電池
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア, 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 村井 章彦, クリスティーナ・イェ・チェン, ダニエル・ビー・トンプソン, リー・エス・マッカーシー, スティーブン・ピー・デンバース, シュウジ・ナカムラ, ウメシュ・ケー・ミシュラ, . 光電子応用のための(Al,Ga,In)NとZnOの直接ウェーハ・ボンディング構造とその作製方法. 特表2008-547210. 2008-12-25
  • H01L  33/32     
  • H01L  21/20     
  • H01L  21/02     
  • H01S   5/183    

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