TOP > 技術シーズ検索 > 有機金属化学気相成長法による半極性(Al,In,Ga,B)Nの成長促進法

有機金属化学気相成長法による半極性(Al,In,Ga,B)Nの成長促進法

シーズコード S130010246
掲載日 2013年6月6日
研究者
  • マイケル・イザ
  • トロイ・ジェー・ベーカー
  • ベンジャミン・エー・ハスケル
  • スティーブン・ピー・デンバース
  • シュウジ・ナカムラ
技術名称 有機金属化学気相成長法による半極性(Al,In,Ga,B)Nの成長促進法
技術概要 先ず、基板をMOCVD反応装置の中へ装填する。{10-11}GaNの成長のために(100)スピネル基板は、<011>方向にミスカットしたものを用いる。次に、反応装置のヒータに通電され、基板の表面の窒化を促進する条件で、設定点である温度1150℃に向かって昇温する。そして、基板上に単一の核生成層あるいは緩衝層を成膜/成長させ、半極性GaN薄膜を成膜/成長させる。GaNが望ましい厚さに到達すると、TMGaのガス流を遮断し、GaN薄膜を保護する目的でアンモニアまたは窒素を流したまま反応装置を降温する。このようにして、半極性(Al,In,Ga,B)N薄膜を作製する。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

thum_2008-530223.gif
研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 基板上に有機金属化学気相成長法(MOCVD)を用いて半極性窒化物半導体薄膜を成長するための方法を提供する。
現行の窒化物デバイスは有極性の[0001]c方向に成長されるので、垂直デバイスの主電導方向に沿って電荷分離が生じる。その結果できる分極電界は、現行の技術水準の光電子デバイスの特性にとって致命的なものである。半極性方向に沿ってこれらのデバイスを成長すると、電導方向に沿っての内蔵電界を低減することによってデバイス特性を大幅に改良することが出来る。すなわち、有機金属化学気相成長法によって成長したときに得られる{10-11}III族窒化物薄膜品質を向上させることができる。
用途利用分野 ハイドライド気相成長エピタキシー用基板、有機金属化学気相成長法用基板、分子線エピタキシー用基板
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア, 独立行政法人科学技術振興機構, . マイケル・イザ, トロイ・ジェー・ベーカー, ベンジャミン・エー・ハスケル, スティーブン・ピー・デンバース, シュウジ・ナカムラ, . 有機金属化学気相成長法による半極性(Al,In,Ga,B)Nの成長促進法. 特表2009-508336. 2009-02-26
  • H01L  21/205    
  • C23C  16/34     

PAGE TOP