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半導体積層構造

シーズコード S130010265
掲載日 2013年6月6日
研究者
  • 好田 誠
  • 新田 淳作
技術名称 半導体積層構造
技術概要 第1半導体層12と、第1半導体層12上に設けられ、第1半導体層12よりバンドギャップの小さい第2半導体層14と、第2半導体層14上に設けられ、第2半導体層14より大きなバンドギャップを有する第3半導体層16とを備える。さらに、第1半導体層12と第2半導体層14との間に形成され、スピン軌道相互作用に起因した有効磁場が生じる第1界面32と、第2半導体層14と第3半導体層16との間に形成されたす第2界面32と、を備える。また、第1界面32の伝導帯の不連続エネルギは第1界面32の価電子帯の不連続エネルギより小さい半導体積層構造である。このようにして、第1界面の電子分布を大きくし、スピン軌道相互作用を増大させることができる。
画像

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研究分野
  • 原子の電子構造
  • トランジスタ
展開可能なシーズ スピンエレクトロニクスの分野において、スピン軌道相互作用に起因する有効磁場を活用したスピン電界効果トランジスタが提案されている。しかしながら、半導体界面における伝導帯の不連続エネルギおよび価電子帯の不連続エネルギが十分考慮されていない。よって、十分なスピン軌道相互作用が得られていない。そこで、スピン軌道相互作用を増大させることが可能な半導体積層構造を提供する。
第1界面の伝導帯の不連続エネルギは前記第1界面の価電子帯の不連続エネルギより小さい半導体積層構造であるので、第1界面の電子分布を大きくし、スピン軌道相互作用を増大させることができる。
用途利用分野 スピンフィルタ素子、電界効果トランジスタ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 好田 誠, 新田 淳作, . 半導体積層構造. 特開2011-040679. 2011-02-24
  • H01L  29/82     

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