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薄膜トランジスタの製造方法

シーズコード S130010310
掲載日 2013年6月6日
研究者
  • 野村 研二
  • 細野 秀雄
  • 神谷 利夫
  • 平野 正浩
技術名称 薄膜トランジスタの製造方法
技術概要 初めに、TFTのチャネル層として、n+-Si基板上に製膜した熱酸化膜上に厚さ30nmのa-IGZO層をRFマグネトロンスパッタリング法により製膜した。次に、1気圧のオゾン含有乾燥酸素(オゾン含有量0.5容積%)雰囲気中で100℃(実施例1-1)、130℃(実施例1-2)、150℃(実施例1-3)、で各15分の熱処理を行った。実施例1-1のTFTの移動度は6.7cm2/Vs、閾値電圧は1.5Vであったが、サブスレッショルド値は0.78V/decadeであった。実施例1-2のTFTの移動度は8.9cm2/Vs、閾値電圧は0.3Vであり、サブスレッショルド値も0.4V/decadeへ改善した。実施例1-3のTFTの移動度は10.3cm2/Vs、サブスレッショルド値は0.26V/decadeであり、閾値電圧-2.0Vが得られた。
画像

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研究分野
  • トランジスタ
展開可能なシーズ In-Ga-Zn-O系アモルファス半導体(a-IGZO)膜をチャネル層とする薄膜トランジスタの製造において、低温の熱処理により高い電界効果移動度、低サブスレッショルド値を有するトランジスタを実現することを目的とする。
本発明によれば、チャネル層としてa-IGZO薄膜を用いるTFTにおいて、製膜後に酸化性雰囲気中で熱処理する場合の問題であった閾値電圧が大きく負にシフトしてしまう問題とデバイス製作プロセスの最高温度をプラスチック基板の軟化点よりも低く抑えるという問題を同時に解決することが出来、大面積の有機ELディスプレイ、液晶ディスプレイを実現することが出来る。
用途利用分野 薄膜トランジスタ、有機ELディスプレイ、液晶ディスプレイ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 野村 研二, 細野 秀雄, 神谷 利夫, 平野 正浩, . 薄膜トランジスタの製造方法. 特開2011-216574. 2011-10-27
  • H01L  21/336    
  • H01L  29/786    
  • H01L  21/363    
  • G02F   1/1368   

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