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機能性デバイスの製造方法並びに薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド

シーズコード S130010314
掲載日 2013年6月6日
研究者
  • 下田 達也
  • 宮迫 毅明
  • 金田 敏彦
技術名称 機能性デバイスの製造方法並びに薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド
技術概要 本発明の方法は、熱処理することにより金属酸化物セラミックス又は金属からなる機能性固体材料となる機能性液体材料を準備する第1工程と、基材上に前記機能性液体材料を塗布することにより、前記機能性固体材料の前駆体組成物層を形成する第2工程と、前記前駆体組成物層を80℃~200℃の範囲内にある第1温度に加熱することにより、前記前駆体組成物層の流動性を予め低くしておく第3工程と、前記前駆体組成物層を80℃~300℃の範囲内にある第2温度に加熱した状態で前記前駆体組成物層に対して型押し加工を施すことにより、前記前駆体組成物層に型押し構造を形成する第4工程と、前記前駆体組成物層を前記第2温度よりも高い第3温度で熱処理することにより、前記前駆体組成物層から前記機能性固体材料層を形成する第5工程とをこの順序で含むことを特徴とする。本発明は薄膜トランジスタのゲート電極、ゲート絶縁層、チャネル層、ソース層、ドレイン層、配線層、圧電式インクジェット装置の圧電体層、光学デバイスの格子層の形成に適用できる。
画像

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研究分野
  • 圧電デバイス
  • 光の散乱,回折,干渉
展開可能なシーズ 従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて、かつ、従来よりも短工程で製造することが可能な薄膜トランジスタをはじめとする種々の機能性デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
基材上に機能性液体材料を塗布して前駆体組成物層を形成し、当該前駆体組成物層に対して型押し加工を施して型押し構造を形成し、さらには前駆体組成物層を高温で熱処理することにより、機能性固体材料層を形成することが可能となるため、種々の機能性デバイスを、従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて、かつ、従来よりも短工程で製造することが可能となる。
用途利用分野 薄膜トランジスタ、圧電式インクジェットヘッド、光学デバイス
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, セイコーエプソン株式会社, . 下田 達也, 宮迫 毅明, 金田 敏彦, . 機能性デバイスの製造方法並びに薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド. 特開2011-238714. 2011-11-24
  • H01L  21/336    
  • H01L  29/786    
  • B29C  59/02     
  • B41J   2/16     
  • H01L  21/316    
  • H01L  21/368    
  • H01L  21/288    
  • H01L  41/22     

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