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誘電体構造体、及びその製造方法

シーズコード S130010316
掲載日 2013年6月6日
研究者
  • 一木 正聡
  • 須賀 唯知
  • 飯村 慶太
  • 細野 智史
  • 伊藤 寿浩
  • 前田 龍太郎
技術名称 誘電体構造体、及びその製造方法
技術概要 図4に示すように、酸化膜4をつけたSiの20mm角チップ5に、結合層6としてTiを厚さ5nm、次に下部電極3としてPtを厚さ50nmスパッタ蒸着した。誘電体層2の作製にはBTOをMOD法を用いて積層した。まず、スピンコーター(2500RPM 20s)でBTO溶液を薄く塗布した。BTOが塗布されたウェハをRTAにより、120度2分、250度5分、700度2分の条件で結晶化した。BTO塗布とRTAによる結晶化を15回繰り返し、誘電体層2の作製を行った。次に、図8に示すように、転移先の非耐熱性の基板7上に他の電極層8を形成した。そして、この非耐熱性基板7の電極層8と、耐熱性基板5に形成した誘電体層2とを面同士で接合し、その後、耐熱基板5から電極層3を結合層6の近傍に沿って剥離した。このようにして、良好に形成された誘電体層2を2つの上部電極3’と下部電極8に挟まれる構成で、非耐熱性基板上に転移することが出来た。
画像

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研究分野
  • 圧電デバイス
  • 光伝送素子
展開可能なシーズ 誘電体層を耐熱性基板から非耐熱性基板に転写するプロセスにおいて、電極層と誘電体層の剥離を防止する。
形成後の誘電体内の残留応力に応じて界面の機械特性を最適化することで、誘電体および電極層が形成過程では耐熱性基板から剥離せず、転移過程において剥離するような界面の剥離特性を得ることができ、所望の特性の誘電体を所定の耐熱性基板上で形成し所定の非耐熱性基板上に転移することができる。
用途利用分野 薄膜コンデンサ、圧電素子、光スイッチ、SHG素子
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, 国立研究開発法人産業技術総合研究所, . 一木 正聡, 須賀 唯知, 飯村 慶太, 細野 智史, 伊藤 寿浩, 前田 龍太郎, . 誘電体構造体、及びその製造方法. 特開2011-238766. 2011-11-24
  • H01G   4/33     
  • H01L  41/09     
  • H01L  41/18     
  • H01L  41/08     
  • H01L  41/22     
  • H01G   4/12     

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