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光デバイス

シーズコード S022000043
掲載日 2003年5月26日
研究者
  • 中野 義昭
研究者所属機関
  • 東京大学 大学院工学系研究科
研究機関
  • 東京大学 大学院工学系研究科
技術名称 光デバイス
技術概要 光情報通信で重要な光波長変換器、光波形整形器、全光スイッチなどとして利用することのできる半導体光デバイスを発明した。この新技術による光デバイスの構成例を図に示す。図中の矢印は入力光と出力光、1は半導体基板、2と5は第1と第2のクラッド層、3は活性層、4はエッチングストップ層、6はキャップ層、7と8は第2と第1の電極、9と10は入射面と出射面、11はバイアス源である。
画像

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従来技術、競合技術の概要 従来の全光スイッチは構造が複雑で作製が困難なため高価、また入出力伝達特性が周期的でデジタル特性を持たない。
研究分野
  • 光伝送素子
  • 光変調器
展開可能なシーズ (1)極めてシンプルな構造の光デバイス
(2)デジタル的入出力伝達特性及び拡大可能な消光比を持つ光デバイス
(3)非反転動作の光デバイス
用途利用分野 波長分割多重(WDM)光通信システム
光時分割多重(OTDM)光通信システム
全光情報処理
関連発表論文 (1)JEONG S‐H, 水本哲弥, KIM H‐C, WIEDMANNJ, 荒井滋久, 竹中充, 中野義昭. DFB導波路形偏光無依存全光スイッチ. 電子情報通信学会大会講演論文集. vol.2002,エレクトロニクス1,2002,p.449‐450.
(2)加藤正樹, 中野義昭. MQW‐EA変調器における光誘起屈折率変化を利用した全光デバイスの特性. 電子情報通信学会技術研究報告. vol.101,no.510(PS200136‐64),2001,p.157‐162.
(3)加藤正樹, 中野義昭, . InGaAs/InAlAsMQW‐EA変調器を用いた全光デバイスの波長依存性の解析. 電子情報通信学会大会講演論文集. Vol.2001,エレクトロニクス1,2001,p.346.
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人東京大学, . 中野 義昭, 馬 炳眞, . 光デバイス. 特開2000-347230. 2000-12-15
  • G02F   1/025    
  • G02F   2/02     
  • H01S   5/50     

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