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pチャネル薄膜トランジスタとその製造方法

シーズコード S130010366
掲載日 2013年6月6日
研究者
  • 細野 秀雄
  • 神谷 利夫
  • 平野 正浩
  • 小郷 洋一
  • 野村 研二
  • 平松 秀典
技術名称 pチャネル薄膜トランジスタとその製造方法
技術概要 下記(1)~(5)を特徴とするpチャネル薄膜トランジスタである。(1)酸化第一スズ(SnO)薄膜を薄膜トランジスタの基板上に堆積し、チャネル層とする。(2)酸化第一スズ薄膜中のSn4+及びSn0(錫金属)の含有量が、合計で10原子%未満である。(3)基板が(001)YSZ単結晶基板であり、SnO薄膜がエピタキシャル膜である。(4)基板がガラス又はプラスチックであり、SnO薄膜がアモルファス膜である。(5)正孔移動度が0.1cm2/V・秒以上である。また、気相法において、SnOをターゲットとして用いて、基板上に堆積するSnの酸化度合いを基板温度及び雰囲気酸素分圧により制御し、Sn2+イオンの含有量が90原子%以上のSnO薄膜を成膜することによりチャネル層を形成し その気相法がパルスレーザ堆積法(PLD法)であり、基板として(001)YSZ単結晶基板を用い、基板温度550℃以上、590℃以下としてエピタキシャル膜を堆積することを特徴とするpチャネル薄膜トランジスタの製造方法である。
研究分野
  • 酸化物薄膜
展開可能なシーズ 酸化第一スズ(SnO)半導体を活性層としたpチャネル薄膜トランジスタとその製造方法を提供する。
CMOS回路用など実用回路に用いることができるpチャネルで動作する正孔移動度が0.1cm2(Vs)-1以上の酸化物TFTを提供できる。
用途利用分野 有機LED(OLED)デバイス、フラットパネルディスプレイ、CMOS、TFT
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 細野 秀雄, 神谷 利夫, 平野 正浩, 小郷 洋一, 野村 研二, 平松 秀典, . pチャネル薄膜トランジスタとその製造方法. . 2012-01-05
  • H01L  29/786    
  • H01L  21/336    
  • H01L  21/205    

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