TOP > 技術シーズ検索 > プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びフォトニック結晶製造方法

プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びフォトニック結晶製造方法

シーズコード S130010370
掲載日 2013年6月6日
研究者
  • 野田 進
  • 高橋 重樹
技術名称 プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びフォトニック結晶製造方法
技術概要 電界制御体11は、基体S上にマスク14を介して配置されており、基体Sの表面の法線に対して角度θだけ傾斜したイオン導入孔12が貫通している。電界制御体11の表面13は、イオン導入孔12の上側開口の位置においてイオン導入孔12に対して垂直に形成されている。この状態で、プラズマPを生成し、プラズマP中のイオンIにバイアス電圧を印加し、イオンを加速して基体S及び電界制御体11の表面に照射する。バイアス電圧により、電界制御体11の表面付近に表面に平行な等電位面15が形成される。そのうち、イオン導入孔12の開口付近において、イオン導入孔12内に引き込まれるような形状の等電位面151が形成され、この開口付近に到達したイオンIは等電位面151に垂直な方向の力を受けつつイオン導入孔12内に入射する。イオン導入孔12において、イオン導入孔12の延びる方向からずれて入射したイオンは、イオン導入孔12の内壁に非弾性的に衝突して運動エネルギーを失うため、エッチングに寄与しない。これにより、基体S表面へのイオンの入射角度のばらつきを小さくし、基体Sを高アスペクト比でエッチングできる。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

thum_2010-526556_1.gif thum_2010-526556_2.gif
研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 高アスペクト比で均一性の高い斜めエッチングを行うことができるプラズマエッチング方法及びそのプラズマエッチング方法を用いたフォトニック結晶製造方法を提供する。
高アスペクト比で均一性の高い斜めエッチングを行うことができるようになる。このプラズマエッチング方法を用いたフォトニッ ク結晶製造方法により、周期の乱れが少なく、より理論上得られることが期待される特性に近い高特性を有するフォトニック結晶を得ることができる。
用途利用分野 プラズマエッチング装置、フォトニック結晶
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 野田 進, 高橋 重樹, . プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びフォトニック結晶製造方法. . 2012-01-26
  • H01L  21/3065   
  • G02B   1/02     

PAGE TOP