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異方性エッチング方法、三次元構造体、及び、デバイス

シーズコード S130010379
掲載日 2013年6月6日
研究者
  • 田中 伸哉
  • 園田 晃司
  • 笠井 一夫
  • 樋口 行平
  • 前中 一介
技術名称 異方性エッチング方法、三次元構造体、及び、デバイス
技術概要 三次元構造体10は、TSVと呼ばれる孔20を備えた基板からなるものである。この基板は、穴部21は、基板の一方の面に対して54.7°の角度に沿った{111}面を含むとともに、内部に向かって縮幅している略四角錐台形状の凹部となっている。また、穴部22は、貫通孔23を中心として、穴部21と対称形状となるように形成されているものである。貫通孔23は、一端に第1の穴部21と接続するように形成されているとともに、他端に第2の穴部22が接続するように形成されている。また、貫通孔23の開口部は、第1の穴部21及び第2の穴部22の底部と同様の形状、大きさとなるように形成されている。三次元構造体10の孔20、及び、三次元構造体10と同構成の三次元構造体11、12の孔を導電材料で形成された配線40で塞ぐとともに、配線40が通電可能となるように、はんだボール30を三次元構造体10の穴部22、三次元構造体11、12の穴部に適宜埋め込んで、三次元構造体10、11、12を積層する。これにより、従来よりも、ウェハパッケージ構造100を容易且つ精度良く形成することができる。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 被対象物を効率よく所望する形状となるようにエッチングすることが可能な異方性エッチング方法、該異方性エッチング方法を用いて形成可能な三次元構造体、及び、該三次元構造体を備えたデバイスを提供する。
ウェットエッチングに比べてエッチング速度が速い反応性イオンエッチングによって結晶異方性エッチングを行うことが可能である。また、結晶異方性ウェットエッチングでは、(111)ウェハに対するエッチングレートが非常に遅く、実用的でないが、結晶異方性エッチングでは、(111)ウェハに対して実用的な速度でエッチングすることが可能である。
用途利用分野 三次元構造体、多層LSI、MEMS
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 田中 伸哉, 園田 晃司, 笠井 一夫, 樋口 行平, 前中 一介, . 異方性エッチング方法、三次元構造体、及び、デバイス. 特開2012-146754. 2012-08-02
  • H01L  21/3065   
  • H01L  25/065    
  • H01L  25/07     
  • H01L  25/18     
  • H01L  21/3205   
  • H01L  21/768    
  • H01L  23/522    

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