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磁気抵抗素子

シーズコード S130010410
掲載日 2013年6月6日
研究者
  • 湯浅 新治
技術名称 磁気抵抗素子
技術概要 磁気抵抗素子は、BCC構造を有するFe系合金であって(001)結晶面が優先配向した単結晶または(001)結晶面が優先配向した多結晶からなる第1の強磁性体層と、BCC構造を有するFe系合金であって(001)結晶面が優先配向した単結晶または(001)結晶面が優先配向した多結晶からなる第2の強磁性体層と、前記第1の強磁性体層と前記第2の強磁性体層との間に位置するトンネル障壁層とを有し、該トンネル障壁層は、(001)結晶面が優先配向した単結晶MgO、又は(001)結晶面が優先配向した多結晶MgOを含み、前記(001)結晶面が優先配向した単結晶MgO、又は(001)結晶面が優先配向した多結晶MgOのトンネル障壁の高さφが0.2~0.5eVであることに特徴がある。
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研究分野
  • 磁電デバイス
展開可能なシーズ 従来の磁気抵抗素子(TMR素子)に比べて磁気抵抗を大きくし、出力電圧を大きくしたTMR素子を提供する。
このTMR素子は、従来のTMR素子に比べて大きな磁気抵抗を得ることができ、TMR素子の出力電圧を大きくすることができ、かつTMR素子の抵抗値をMRAMに最適な低抵抗にすることができる。従って、TMR素子を用いたMRAMの高集積化が容易になる。
用途利用分野 磁気抵抗素子、記憶装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 独立行政法人科学技術振興機構, 独立行政法人産業技術総合研究所, . 湯浅 新治, . 磁気抵抗素子. 特開2012-033957. 2012-02-16
  • H01L  43/08     
  • H01L  27/105    
  • H01L  21/8246   
  • H01L  43/10     

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