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磁気抵抗素子および磁気抵抗素子の製造方法

シーズコード S130010411
掲載日 2013年6月6日
研究者
  • 湯浅 新治
技術名称 磁気抵抗素子および磁気抵抗素子の製造方法
技術概要 磁気抵抗(TMR)素子は、MgO(001)からなるトンネル障壁層と、該トンネル障壁層の第1面側に形成されたFe(001)からなる第1の強磁性体層と、前記トンネル障壁層の第2面側に形成されたFe(001)からなる第2の強磁性体層と、を有する磁気トンネル接合構造であって、前記MgO層が、単結晶MgOx(001)あるいは(001)結晶面が優先配向した多結晶MgOx(0<x<1)層により形成されており、更に、前記MgO(001)層の伝導帯下端と前記Fe(001)層のフェルミエネルギーの間の不連続値(トンネル障壁高さ)を、欠陥のない完全な単結晶における理想的な値よりも低くしたことを特徴としている。この構成を用いると、磁気抵抗が増大しTMR素子の出力電圧を大きくすることができ、又1つのトランジスタの負荷としてこの磁気抵抗素子を用いると、不揮発性の記憶素子を形成することができる。
画像

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研究分野
  • 磁電デバイス
展開可能なシーズ 従来の磁気抵抗(TMR)素子に比べて磁気抵抗を大きくし、出力電圧を大きくしたTMR素子を提供する。
本発明によれば、従来のTMR素子に比べて大きな磁気抵抗を得ることができ、TMR素子の出力電圧を大きくすることができ、かつTMR素子の抵抗値をMRAMに最適な低抵抗にすることができる。従って、TMR素子を用いたMRAMの高集積化が容易になる。
用途利用分野 磁気抵抗素子、不揮発性の記憶素子
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 独立行政法人科学技術振興機構, 独立行政法人産業技術総合研究所, . 湯浅 新治, . 磁気抵抗素子および磁気抵抗素子の製造方法. 特開2012-039144. 2012-02-23
  • H01L  43/10     
  • H01L  43/08     
  • H01L  27/105    
  • H01L  21/8246   

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