TOP > 技術シーズ検索 > 磁気多層膜

磁気多層膜

シーズコード S130010412
掲載日 2013年6月6日
研究者
  • 湯浅 新治
技術名称 磁気多層膜
技術概要 磁気抵抗素子の製造工程は、まず単結晶MgO(001)基板11を準備し、分子線エピタキシー法により、基板11の表面のモフォロジー改善のため、MgO(001)シード層15を成長させ[図2(A)]、次に50nm厚のエピタキシャルFe(001)下部電極(第1電極)17をMgO(001)シード層15上に室温で成長させる[図2(B)]。Fe(001)は、BCC構造を有する強磁性体である。次いで、超高真空下、350℃でアニールを行う。次に、2nm厚のMgO(001)バリア層21をFe(001)下部電極(第1電極)17上に室温でエピタキシャル成長させる[図2(C)]。そしてMgO(001)バリア層21上に、室温で厚さ10nmのFe(001)上部電極(第2電極)23を形成し、連続して、10nm厚さのCo層25をFe(001)上部電極(第2電極)23上に堆積した[図2(D)]。Co層25は、上部電極23の保持力を高めることで反平行磁化配置を実現するためのものである。この作成試料を微細加工してFe(001)/MgO(001)/Fe(001)TMR素子を形成する。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

thum_2011-226908.gif
研究分野
  • 磁電デバイス
展開可能なシーズ 新規な構造の磁気多層膜およびその製造方法を提供する。
本発明によれば、従来のTMR素子に比べて大きな磁気抵抗を得ることができ、TMR素子の出力電圧を大きくすることができ、かつTMR素子の抵抗値をMRAMに最適な低抵抗にすることができる。従って、TMR素子を用いたMRAMの高集積化が容易になるという利点がある。
用途利用分野 磁気多層膜、磁気多層膜製造装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, 国立研究開発法人産業技術総合研究所, . 湯浅 新治, . 磁気多層膜. 特開2012-054577. 2012-03-15
  • H01L  43/08     
  • H01L  43/10     
  • H01L  21/8246   
  • H01L  27/105    

PAGE TOP