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高密度磁気固定メモリの書き込み方法及び高密度磁気固定メモリ

シーズコード S130010467
掲載日 2013年6月6日
研究者
  • 島田 寛
  • ノボサッド バレンティン
  • 大谷 義近
  • 深道 和明
  • 北上 修
技術名称 高密度磁気固定メモリの書き込み方法及び高密度磁気固定メモリ
技術概要 基板上に電歪効果を有する強誘電体材料からなる格子状の下地層を形成するとともに、この格子状の下地層の交差部上に磁歪効果を有する磁性材料からなる磁性薄膜をそれぞれ形成する。次いで、前記格子状の下地層の所定の行及び列に電圧を印加することにより、前記所定の行及び列の交差部上に形成された前記磁性薄膜の磁化を反転させて、書き込みを行うことを特徴とする、高密度磁気固定メモリの書き込み方法に関する。また、基板と、電歪効果を有する強誘電体材料からなる下地層と、磁歪効果を有する磁性材料からなる磁性薄膜とを具え、前記下地層は前記基板上において格子状に形成する。前記磁性薄膜は格子状に形成された前記下地層の交差部にそれぞれ形成する。
画像

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研究分野
  • 電子・磁気・光学記録
展開可能なシーズ 磁気固定メモリは、外部配線にパルス電流を印加し、高い磁場を発生させることによって行っている。このため、外部配線の抵抗熱が大きくなってしまい、磁気固定メモリを構成する素子自体の温度が極めて高くなってしまう。したがって、外部配線の密度を増加させて、磁気固定メモリの記録密度を向上させようとすると、前記抵抗熱が大きくなって配線の破損、並びに磁化状態の不安定化という問題を生じさせる場合がある。その結果、記録密度の向上にはある程度の限界があった。本発明は、上記のような問題を生じさせることのない、新規な磁気固定メモリの書き込み方法及び磁気固定メモリを提供することを目的とする。
本発明によれば、磁気固定メモリへの書き込みに際し、従来のように外部配線を用いる必要がない。したがって、この外部配線に流す電流によって発生する抵抗熱を防止することができ、従来のように抵抗熱に起因した高密度記録の達成が阻害されない。このため、磁気固定メモリに対して極めて高い密度での記録を簡易に行うことができる。
用途利用分野 高密度磁気固定メモリ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人東北大学, . 島田 寛, ノボサッド バレンティン, 大谷 義近, 深道 和明, 北上 修, . 高密度磁気固定メモリの書き込み方法及び高密度磁気固定メモリ. 特開2001-093273. 2001-04-06
  • G11C  11/14     
  • G11C  11/15     

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