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半導体連想メモリ

シーズコード S130010505
掲載日 2013年6月6日
研究者
  • マタウシュ・ハンスユルゲン
  • 行天 隆幸
技術名称 半導体連想メモリ
技術概要 連想メモリは、最小距離の検索機能に優れた高速・並列の連想メモリであり、入力データのユニット数Wや、参照データの数Rが大きくなっても回路のいちじるしい増加が抑制され、チップ面積が小さく高速検索が可能なCMOS回路により形成されている。連想メモリは、R行、W列に配列された各kビット(R、W、kは自然数)のユニット蓄積器と、ユニット蓄積器にストアされた各kビットのユニットがW個配列されてなるW×kビットの入力データ及び参照データをワード長kビットのユニットごとに比較するR行、W列に配列されたユニット比較器と、前記ユニット比較器からの各行の出力データに対してビットごとに重み付けするワード重み付け比較器と、R行のロウデコーダと、W×k列のカラムデコーダとを含むメモリアレイからなる。好ましくはメモリアレイにおけるユニットは、バイナリコードデータから構成される。
画像

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研究分野
  • 記憶方式
展開可能なシーズ R2に比例する回路数の増加を回避し、この増加をRに比例するように抑制してチップ面積の小さい検索回路を備えた高速・並列検索が可能な連想メモリを提供し、携帯機器を含む移動通信やビデオ映像の帯域圧縮、人工知能等の分野に適用する。
従来人工知能システムは、面積効率の高いハードウエアを実現することが不可能であったため、高性能なコンピュータシステム上に複雑なソフトウエアを用いて構築されることが一般的であったが、本発明の連想メモリによれば、コンパクトな複数のチップ又は1チップのみでパターン認識や人工知能システム、データバンクシステム等を実現することが可能になる。
用途利用分野 連想メモリ、半導体連想メモリ、人工知能システム、データバンクシステム
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人広島大学, . マタウシュ・ハンスユルゲン, 行天 隆幸, . 半導体連想メモリ. 特開2002-288985. 2002-10-04
  • G11C  15/04     

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