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半導体素子の製造方法

シーズコード S130010640
掲載日 2013年6月6日
研究者
  • 八百 隆文
  • ▲チョ▼ 明煥
技術名称 半導体素子の製造方法
技術概要 半導体素子の製造方法は、サファイア基板上に下地層(選択成長により半導体層の形成が可能な、結晶成長促進層となるCr金属層)を形成し、次にリソグラフィにより、下地層上に、下地層が複数の独立した素子形成領域となるように選択的にパターニングされた区画領域を構成すると共に、エッチング溶液注入口となる注入口領域を構成するマスク層を形成する。その後、素子形成領域上に半導体層を1層以上形成して、そこに所望の半導体素子を形成すると共に、半導体素子の側面を被覆し、注入口領域を除く全面に、金属支持層を形成する。そして、注入口領域からエッチング液を注入して、マスク層及び下地層を除去し、区画領域上の金属支持層から半導体素子を分離して半導体素子チップを得る。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 基板上に半導体成長促進層を介して選択成長したLED等の半導体素子を基板及び半導体成長促進層から容易に分離できるようにする。
この製造法は次の効果を持つ。(1)選択成長による垂直型LED等の半導体素子製作工程を単純化させることができ、またレーザーリフトオフ法で問題になっている収率や再現性の問題を解決することができる。(2)選択成長によるため、従来の全面に成長する場合よりも反りを抑制することができる。(3)半導体素子は選択成長により独立して形成されているため、クラックの発生を抑えることができる。(4)マスクとして使った物質をエッチング除去することによって、成長促進層のエッチングのためのトンネルが形成され、このようなトンネルによってエッチング速度が向上する。(5)基板にダメージを与えなないため、CLO(ケミカルリフトオフ工程)後に、基板のリサイクルが可能である。
用途利用分野 LED製造装置、トランジスタ製造装置、ダイオード製造装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人東北大学, . 八百 隆文, ▲チョ▼ 明煥, . 半導体素子の製造方法. 特開2008-078274. 2008-04-03
  • H01L  33/32     

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