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金属酸化物薄膜の形成方法

シーズコード S130010716
掲載日 2013年6月6日
研究者
  • 石田 誠
  • 澤田 和明
  • 岡田 貴行
技術名称 金属酸化物薄膜の形成方法
技術概要 金属酸化物薄膜の形成法は、まずシリコン基板2表面を、RCA洗浄工程で洗浄する。次に、このシリコン基板2を、自然酸化膜を除去のため、HF:HO=1:50の溶液で洗浄し、その後シリコン基板2を、H:HO=1:7の化学溶液中に10分間浸し、シリコン基板2の表面に酸化膜4を形成する。次に、シリコン基板2をMBE装置内にセットしてγ-Al膜を形成する。MBE装置は、Alの金属蒸着セル及び酸化ガスとしてNO導入ラインを持つ混成ソースMBE成長チャンバーである。γ-Al膜の成膜は、ルツボ温度1140℃のAlの金属蒸着セルから蒸気となったAl原子をシリコン基板2の酸化膜4に照射し、同時に超高真空バリアブルリークバルブを介してMBE装置に接続されたNOを導入し約一時間成膜を行う。この工程で、シリコン基板2上の酸化膜4は酸素が還元され、シリコン基板2上の酸化膜4がγ-Al膜6置換され、更にγ-Al膜6が所望の厚さに成膜される。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 半導体基板の表面を酸化膜で保護しつつ、金属酸化物薄膜形成時に酸化膜の酸素を還元して成膜を行うことで、高品質な金属酸化物薄膜を得る。
半導体基板上に酸化膜を形成し、酸化膜を還元し、脱離させることで半導体基板表面に絶縁膜である金属酸化物薄膜を結晶性良く形成することができる。
用途利用分野 単結晶シリコン用基板製造装置、多結晶シリコン用基板製造装置、非晶質シリコン用基板製造装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人豊橋技術科学大学, . 石田 誠, 澤田 和明, 岡田 貴行, . 金属酸化物薄膜の形成方法. 特開2007-088013. 2007-04-05
  • H01L  21/316    

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