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反応現像画像形成法

シーズコード S130010835
掲載日 2013年6月6日
研究者
  • 大山 俊幸
  • 友井 正男
技術名称 反応現像画像形成法
技術概要 この反応現像画像形成法は、基板上にフォトレジスト層を設け、所望パターンでマスクし、このパターン面に紫外線照射し、その後この層をアルカリを含む溶剤で洗浄する。フォトレジスト層は、式で表されるポリエステルイミドと光酸発生剤とからなる。式中、Rは、芳香環又は-R-X-R-を表し、Rはヘテロ原子を有してもよい炭化水素基を表し、nはこのポリマーの分子量に相当する数を表す。また、R及びRは、それぞれ芳香環を表し、Xはスルフィド基、スルホキシド基、スルホン基、カルボニル基又はアルキレン基を表す。ポリエステルイミドは、次のメカニズムにより紫外線照射を受けた後に現像液に溶解する。光酸発生剤は化学放射線の照射により酸を発生し、これをアルカリを含む現像液で洗浄すると、このアルカリが生成した酸と反応して塩が生成し、露光域の極性が増大する。その結果、現像液中のアルカリがエステル結合を攻撃し、主鎖が切断され、ポリマーは低分子化され、現像液に溶解する。未露光部では、未反応の光酸発生剤が混在する樹脂膜は現像液に対する溶解速度が著しく遅く、溶解が抑制される。
画像

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研究分野
  • 光学情報処理
  • 高分子固体の物理的性質
  • 高分子の反応
展開可能なシーズ 反応現像画像形成法において、アミンの求核置換反応を起こし易くするために、ポリマーとして特に設計されたポリエステルイミドを用いて、現像を容易にし、かつそのパターンの強度を高くする。
このポリエステルイミドは主鎖にエステル結合を持ち、このエステル結合がベンゼン環などの芳香環又はスルホン基などの電子吸引性置換基が結合した芳香環と結合する構造を持つ。このような構造を持つポリエステルイミドのエステル結合は、アミンの求核置換反応を起こし易くし、現像を容易にし、かつそのパターンの強度を高くすることができる。
用途利用分野 ポリエステルイミド、光酸発生剤、フォトレジスト構造物、半導体集積回路、プリント配線基板、液晶パネル、光導波路
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人横浜国立大学, . 大山 俊幸, 友井 正男, . 反応現像画像形成法. 特開2006-293111. 2006-10-26
  • G03F   7/039    
  • C08G  73/10     
  • G03F   7/32     
  • H01L  21/027    

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