TOP > 技術シーズ検索 > 有機電子デバイス及びその製造方法

有機電子デバイス及びその製造方法

シーズコード S130010868
掲載日 2013年6月6日
研究者
  • 辻岡 強
  • 中村 振一郎
技術名称 有機電子デバイス及びその製造方法
技術概要 このデバイスは、第一電極と有機層との間、及び/又は、第二電極と有機層との間に、電極材料の付着性の差を利用して電極のパターニングを行うための、置換基を有する1,2-ジアリールエテンを含む層(DAE層)を有する。DAE層は、光照射により電極パターンに対応するDAE層の異性化状態の異なるパターンが形成され、異性化の差異により電極材料との付着性が異なることにより電極のパターニングを行い、DAEを含む層との間、及び/又は、第二電極とDAEを含む層との間にキャリア輸送性の中間層を有する。また、デバイスは、DAE層を形成する工程と、DAE層のDAEを所定パターン状に異性化反応させる工程と、DAE層上にキャリア輸送性の中間層を形成する工程と、中間層上に電極材料を付与して、所定パターンに対応した電極パターンを形成する工程と、により製造する。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

thum_2005-090713.gif
研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ メタルマスクの作成、オーバーハング状ライン隔壁の形成、粘着フィルムによる剥離、などの工程に伴う種々の制約に捕われることなく、自由な形状に有機ELディスプレイデバイスを含む種々の有機電子デバイスの電極パターンを形成可能にする。
レーザー光の集光スポットに対応するような微細なパターンを含めて、所望の任意の形状の電極パターンをレーザー光の走査精度と同等の精度で高精度に形成することができ、メタルマスクの作成、オーバーハング状ライン隔壁の形成、粘着フィルムによる剥離、などの工程に伴う種々の制約に捕われることなく、自由な形状にかつ高精度に有機デバイスの電極パターンを形成できる。
用途利用分野 有機EL・有機FET・有機太陽電池
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人 大阪教育大学, . 辻岡 強, 中村 振一郎, . 有機電子デバイス及びその製造方法. 特開2006-277973. 2006-10-12
  • H05B  33/22     
  • H05B  33/10     
  • H01L  51/50     
  • G09F   9/30     
  • H01L  27/32     
  • H01L  21/28     

PAGE TOP