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超磁歪薄膜素子及びその製造方法

シーズコード S130011120
掲載日 2013年6月7日
研究者
  • 清宮 照夫
  • 脇若 弘之
  • 牧村 美加
技術名称 超磁歪薄膜素子及びその製造方法
技術概要 基板と、基板上に成膜した超磁歪材料の薄膜とを有する超磁歪薄膜素子において、薄膜は、気相成長させたSm-Fe系の超磁歪材料からなり、その組成が、15at%≦Sm≦23at%である超磁歪薄膜素子である。そして、薄膜内部応力は、220MPa~130MPaの圧縮応力となるようにする。超磁歪材料からなる薄膜を気相成長させる際に、不活性ガス圧力を0.7Pa以下とし、成膜中もしくは成膜後に200℃~300℃の温度で熱処理を行う。これにより、80kA/mの磁界印加時の磁気ひずみを-700ppm以下とすることができる。このようにして気相法にて形成された磁性薄膜は、気相から固相へと急冷される過程でアモルファス状態が得られるため、磁気異方性エネルギーが減少し、小さな磁界でも磁化し易くなり、大きな磁歪特性が得られる。
画像

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研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
展開可能なシーズ 小さな磁界でも大きな磁歪特性を発現し、しかも埋蔵量の点からも将来的に不安の少ない材料を使用して超磁歪薄膜素子を製造する。
この超磁歪薄膜素子は、薄膜構造であることから、種々の形状のデバイスへの応用が可能となり、しかも小さな磁界でも大きな磁歪特性が発現するため、新しいマイクロセンサやアクチュエータ等のマイクロデバイスへの実用化に大きく寄与できる。しかも本超磁歪薄膜素子は、Sm-Fe2元系であり、Smは希土類元素の中でも埋蔵量が比較的多い元素であることから、将来的に資源枯渇の不安も少なく、比較的安価に製造することができる。
用途利用分野 超磁歪薄膜素子、センサ、アクチュエータ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) FDK株式会社, 長野県, 国立大学法人信州大学, . 清宮 照夫, 脇若 弘之, 牧村 美加, . 超磁歪薄膜素子及びその製造方法. 特開2009-231349. 2009-10-08
  • H01L  41/12     
  • H01L  41/20     
  • H01L  41/22     
  • C22C  38/00     
  • C21D   6/00     

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