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不揮発性半導体記憶素子とその製造方法

シーズコード S130011151
掲載日 2013年6月7日
研究者
  • 中島 安理
技術名称 不揮発性半導体記憶素子とその製造方法
技術概要 不揮発性半導体記憶素子10は、1ビット又は多ビット分のデータを記憶する素子であり、チャネル領域14を挟んで配置されたソース領域12とドレイン領域13と、ゲート絶縁膜15,18と、保護絶縁膜20に埋設されている。そして、チャネル領域14上に並んで配置され、ソース領域12及びドレイン領域13に対向しない複数の浮遊ゲート電極16,17と、ゲート絶縁膜15,18上に、チャネル領域14に対向して配置されたコントロールゲート19と、を備える。各浮遊ゲート電極16,17は、物理的或いは電気的にチャネル幅と同等かそれ以上の大きさを有する。このように、各不揮発性半導体記憶素子10の素子構造は単純な構成であり、製造および小型化が容易であると共に、歩留まりを高めることができる。
画像

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研究分野
  • 半導体集積回路
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 2つの浮遊ゲートを備える不揮発性半導体素子では、素子の構造が複雑で、製造歩留まりに影響を与えてしまう。且つ、素子全体の面積が大きくなってしまうため、高集積化に不適当である。また、浮遊ゲートに注入される電子に示すホットエレクトロンの割合が高く、電子の注入によるトンネル絶縁膜の劣化が激しく、素子欠陥が起こりやすい、などの問題がある。そこで、構造が簡単で、素子サイズを縮小でき、高集積化に適し、且つ欠陥の起こりにくい不揮発性半導体記憶素子を提供する。
簡単な構成で、微小サイズで高集積化が可能で、欠陥が起こりにくい不揮発性半導体記憶素子を提供できる。
用途利用分野 フラッシュメモリ、EEPROM、不揮発性半導体素子
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人広島大学, . 中島 安理, . 不揮発性半導体記憶素子とその製造方法. 特開2010-129990. 2010-06-10
  • H01L  21/336    
  • H01L  29/788    
  • H01L  29/792    
  • H01L  27/115    
  • H01L  21/8247   

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