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金属ドットの製造方法およびそれを用いた半導体メモリの製造方法

シーズコード S130011181
掲載日 2013年6月7日
研究者
  • 牧原 克典
  • 宮崎 誠一
  • 池田 弥央
  • 島ノ江 和広
技術名称 金属ドットの製造方法およびそれを用いた半導体メモリの製造方法
技術概要 SiO膜502がSiからなる半導体基板501上に形成され(工程(b))、金属薄膜504がSiO膜502上に形成される(工程(c))。その後、水素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス、窒素ガス、アンモニアガス、水素ガスとヘリウムガスとの混合ガス、水素ガスとアルゴンガスとの混合ガスおよび水素ガスと窒素ガスとの混合ガスの中から選択したガスを用いたリモートプラズマによって、金属薄膜504を処理する(工程(d))。これによって、金属ドット503がSiO膜502上に形成される(工程(e))。
画像

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thum_2008-330536.GIF
研究分野
  • 半導体集積回路
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 金属量子ドットの製造方法において金属薄膜をリモートプラズマによって処理するときガスの種類によって金属量子ドットの密度を制御することは困難である。そこで、金属薄膜をリモートプラズマによって処理するときのガスの種類によってドットの密度を制御可能な金属ドットの製造方法を提供する。
水素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス、窒素ガス、アンモニアガス、水素ガスとヘリウムガスとの第1の混合ガス、また、水素ガスとアルゴンガスとの第2の混合ガス、および、水素ガスと窒素ガスとの第3の混合ガスの中から選択したガスを用いたリモートプラズマによって、金属薄膜を処理することにより密度の異なる金属ドットが製造できる。また、このリモートプラズマによって金属薄膜を処理することによって製造された密度の異なる金属ドットを備えた半導体メモリが製造できる。
用途利用分野 金属ドット製造装置、半導体メモリ製造装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人名古屋大学, . 牧原 克典, 宮崎 誠一, 池田 弥央, 島ノ江 和広, . 金属ドットの製造方法およびそれを用いた半導体メモリの製造方法. 特開2010-153612. 2010-07-08
  • H01L  21/3065   
  • H01L  21/8247   
  • H01L  27/115    
  • H01L  21/336    
  • H01L  29/788    
  • H01L  29/792    

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