TOP > 技術シーズ検索 > スピン偏極電子発生素子

スピン偏極電子発生素子

シーズコード S130011256
掲載日 2013年6月7日
研究者
  • 宇治原 徹
  • 金 秀光
  • 竹田 美和
  • 中西 彊
  • 山本 尚人
  • 坂 貴
  • 加藤 俊宏
技術名称 スピン偏極電子発生素子
技術概要 スピン偏極電子発生素子は、基板10と、バッファ層30と、バッファ層30上に形成された歪み超格子層40と、を有し、基板10とバッファ層30との間に、バッファ層30を構成する結晶の格子定数よりも大きな格子定数を有する結晶から成る中間層20を介在させたものである。中間層20の厚さは、臨界膜厚以上の厚さを有する。この構成において、バッファ層30が、歪み超格子層40に対して、所定の歪みを印加し得るためには、中間層20は、臨界膜厚以上の厚さに構成されており、十分に歪みが緩和されていることが望ましい。また、バッファ層30には、引張歪みにより基板10に垂直な方向へのクラックが発生しており、このクラックによりバッファ層30は、モザイク状となる。また、中間層20は、バッファ層30に係る引張歪みが緩和される時に、バッファ層30から歪みを受けない厚さであり、バッファ層30から中間層20に歪みが印加されると、バッファ層30から歪み超格子層40へ、所定の歪みが印加され難くなるので、中間層20は、この条件を満たすような厚さであることが望ましい。他にスピン偏極電子発生装置の発明有り。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

thum_2009-073929.gif
研究分野
  • 光物性一般
  • 電子顕微鏡,イオン顕微鏡
展開可能なシーズ 基板、バッファ層、歪み超格子層の材料選択の自由度を持たせた状態で、スピン偏極度と外部量子効率の高いスピン偏極電子発生素子を提供する。
バッファ層の結晶の格子定数よりも、格子定数の大きい結晶の中間層を、バッファ層の下に設けたので、バッファ層に引張歪みを印加でき、バッファ層上の歪み超格子層の転位密度を低減できる。この結果、励起された電子の転位によるスピン反転散乱と、転位による電子の捕獲が減少するので、歪み超格子層の伝導帯に励起される電子のスピン偏極度を大きくでき、また、外部量子効率を向上させることができる。すなわち、バッファ層と基板の材料の選択に係わらず、バッファ層には引張歪みを印加することができ、歪み超格子層の結晶性を改善して、高偏極度、高量子効率の実現が可能となる。
用途利用分野 電子顕微鏡、スピン偏極電子発生装置、スピン偏極電子発生素子
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人大同学園, 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 宇治原 徹, 金 秀光, 竹田 美和, 中西 彊, 山本 尚人, 坂 貴, 加藤 俊宏, . スピン偏極電子発生素子. 特開2009-266809. 2009-11-12
  • H01J   1/34     
  • H01J  37/073    
  • G21K   1/00     

PAGE TOP